ST2310DHI

ST2310DHI是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能NPN功率双极性晶体管（BJT），采用先进的ISOWATT-218-3通孔封装。该器件基于成熟的硅基工艺构建，其核心设计旨在实现高电压、大电流下的可靠开关与线性放大操作，内部结构经过优化以提供优异的电气隔离和热性能。

该晶体管的核心特性在于其高达600V的集射极击穿电压与12A的最大集电极电流能力，这使其能够从容应对工业级功率应用中的高压应力。其Vce饱和压降在1.75A基极电流、7A集电极电流条件下典型值仅为3V，这意味着在导通状态下具有较低的功率损耗，有助于提升系统整体效率。同时，器件在7A集电极电流、5V集射极电压下的直流电流增益（hFE）最小值为5.5，确保了良好的驱动控制特性。

在接口与关键参数方面，ST2310DHI的集电极截止电流最大为1mA，体现了其良好的关断特性。其最大功耗为55W，结合ISOWATT封装优异的绝缘和散热能力，允许结温（TJ）最高工作至150°C，在恶劣环境下仍能保持稳定运行。对于需要本地技术支持和稳定供货渠道的客户，可以联系ST中国代理获取相关服务。该封装形式为标准通孔安装，便于在传统PCB板上进行焊接和固定。

凭借其高耐压、大电流和稳健的封装，这款器件非常适用于要求严苛的功率电子领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的功率开关、电机驱动控制器中的桥式电路、不间断电源（UPS）以及工业照明镇流器等。它为工程师提供了一个在高压侧进行可靠功率处理和开关控制的经典解决方案。

• 型号:ST2310DHI
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOWATT-218
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 600V 12A ISOWATT-218
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:12 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:3V @ 1.75A，7A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:5.5 @ 7A，5V
• 功率 - 最大值:55 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:ISOWATT-218-3
• 供应商器件封装:ISOWATT-218
• 想获取ST2310DHI的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ST2310DHI是ST意法半导体生产的一款NPN功率双极性晶体管，采用ISOWATT-218-3通孔封装。该器件提供了600V的高集射极击穿电压和12A的最大集电极电流处理能力，核心优势在于其强大的功率处理与高耐压特性。

其技术参数显示，在7A集电极电流下，Vce饱和压降最大仅为3V，有助于降低导通损耗。同时，最大55W的功耗能力与150°C的最高工作结温，配合ISOWATT封装的良好绝缘与散热设计，确保了其在高压、高功率应用中的长期可靠性，适用于电源转换和电机驱动等领域的功率开关需求。