START405TR

START405TR是ST意法半导体推出的一款面向射频应用场景的NPN型双极结晶体管。该器件采用紧凑的SOT-343（SC-82A）表面贴装封装，专为低电压、低噪声、高增益的射频信号放大与处理而优化设计。其核心架构基于先进的硅基工艺，实现了在射频频率下优异的线性度与稳定性，尤其适合集成在空间受限的高频前端模块中。

该晶体管在射频性能上表现突出，其噪声系数在1.8GHz下典型值仅为1.1dB，这对于接收机前端的第一级放大至关重要，能有效降低系统整体噪声，提升信号接收灵敏度。同时，器件提供了高达19dB的功率增益，能够在较低的直流功耗下实现显著的有用信号放大。其直流电流增益（hFE）在典型工作点（5mA， 4V）下最小值达到160，确保了良好的电流驱动能力和放大效率。对于需要稳定供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理获取相关的技术支持和库存信息。

在电气参数方面，集电极-发射极击穿电压最大值为4.5V，最大集电极电流为10mA，最大功耗为45mW，这些参数定义了其适用于低电压供电环境，例如由单节锂电池或3.3V逻辑电源直接驱动的系统。其SOT-343封装不仅节省了PCB面积，也优化了高频下的寄生参数，有利于维持电路在高频段的性能。虽然该产品目前已处于停产状态，但其设计规格在特定领域仍有参考和应用价值。

基于其低噪声、高增益和紧凑封装的特点，START405TR典型应用于便携式无线设备、蓝牙模块、GPS接收前端、无线传感器网络节点以及UHF频段的低功耗通信系统中。它非常适合作为LNA（低噪声放大器）的核心器件，或在本地振荡器缓冲级、混频器驱动级等电路中发挥作用，为要求高信号完整性和能效比的射频链路提供可靠的解决方案。

• 型号:START405TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极射频晶体管
• 描述:RF TRANS NPN 4.5V SOT343
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:4.5V
• 频率 - 跃迁:-
• 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1.8GHz
• 增益:19dB
• 功率 - 最大值:45mW
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:160 @ 5mA，4V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10mA
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SC-82A，SOT-343
• 供应商器件封装:-
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START405TR是ST意法半导体生产的一款NPN射频晶体管，采用SOT-343表面贴装封装。该器件针对低电压射频放大应用进行了优化，核心优势在于其卓越的射频性能指标。

它在1.8GHz频率下具备极低的1.1dB典型噪声系数和高达19dB的功率增益，能有效提升接收链路的信噪比和信号强度。其集射极击穿电压为4.5V，最大功耗45mW，适合集成在由电池供电的紧凑型无线设备中，实现高效、低噪声的信号处理。