STB10LN80K5

STB10LN80K5是ST意法半导体基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡，其核心在于通过创新的单元结构和工艺技术，显著降低了单位面积的导通损耗，同时保持了优异的开关特性，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备800V的漏源击穿电压（Vdss），在25°C壳温条件下可支持高达8A的连续漏极电流。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、4A电流条件下典型值仅为630毫欧，这一低导通特性直接有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在15nC（@10V），结合427pF（@100V）的输入电容，意味着器件需要更少的驱动能量即可实现快速开关，有助于降低开关损耗并允许使用更简洁的驱动电路，从而简化设计并提高开关频率潜力。

在接口与参数方面，该器件采用标准的10V栅极驱动电压，栅源电压（Vgs）最大可承受±30V，提供了宽裕的驱动安全余量。其采用表面贴装型的D2PAK封装，该封装具有良好的功率耗散能力，在壳温（Tc）条件下最大功率耗散可达110W，结合其-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了器件在苛刻环境下的可靠性与鲁棒性。用户可通过官方ST代理获取完整的技术支持与供应链服务。

凭借其高耐压、低损耗和快速开关的综合性能力，STB10LN80K5非常适用于要求高可靠性与高效率的离线式开关电源（SMPS）拓扑，如反激式、正激式及半桥LLC谐振转换器，是工业电源、PC电源、LED驱动以及家电辅助电源等应用的理想选择。其稳健的性能表现能够有效应对功率因数校正（PFC）电路、电机控制预驱动级等场景中的高压开关需求。

• 型号:STB10LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:630 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:427 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB10LN80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心规格为800V漏源电压（Vdss）与8A连续漏极电流（Id），专为高耐压、高效率的功率开关应用而设计。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。器件具备极低的导通电阻（Rds(on)典型值630mΩ @10V, 4A）和较低的栅极电荷（Qg最大值15nC @10V），这共同实现了更低的导通损耗与开关损耗，有助于提升电源系统的整体能效。同时，其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和高达110W的功率耗散能力，确保了在工业级应用环境下的长期运行可靠性。