STB10N65K3

STB10N65K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺架构，通过优化的单元设计和第三代超级结（Super Junction）技术，在硅片层面实现了极低的单位面积导通电阻（R_DS(on)）与高耐压能力的出色平衡。其内部结构专为降低开关损耗和传导损耗而优化，栅极设计确保了快速、稳健的开关特性，同时维持了良好的热稳定性。

该MOSFET的核心电气性能表现突出，其额定漏源电压（V_DSS）高达650V，能够从容应对工业级开关电源中常见的电压应力和浪涌冲击。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）可达10A，展现出较强的电流处理能力。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V栅源驱动电压（V_GS）和3.6A漏极电流条件下，R_DS(on)典型值仅为1欧姆，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。此外，其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.5V，与标准驱动电路兼容性好，而最大栅极电荷（Q_g）控制在42nC，有助于降低驱动损耗并提升开关频率潜力。

在封装与可靠性方面，STB10N65K3采用经典的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，这种封装具有出色的散热性能和较高的功率密度，其最大功率耗散能力为150W（壳温条件下）。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。其输入电容（C_iss）等动态参数也经过精心设计，以优化其在硬开关和软开关拓扑中的表现。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过正规的ST授权代理渠道获取该产品的技术支持和库存信息。

凭借650V的耐压等级、优异的导通与开关特性，STB10N65K3非常适用于要求高效率和高可靠性的中高功率应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主变换器、工业电机驱动和变频器的辅助电源、UPS（不间断电源）系统以及照明领域的电子镇流器和LED驱动电源。其稳健的性能使其成为工程师在设计离线式电源和功率转换系统时，构建高效、紧凑功率级的一个经典选择。

• 型号:STB10N65K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1180 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 想获取STB10N65K3的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STB10N65K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心额定参数为650V漏源电压和10A连续漏极电流，专为高效功率转换设计。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与高开关性能的平衡，在10V V_GS下R_DS(on)典型值低至1Ω，同时栅极电荷（Q_g）最大值仅为42nC。这些特性共同作用，能显著降低系统的传导损耗和开关损耗，提升整体能效。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和150W的功率耗散能力，进一步保障了其在复杂应用环境下的可靠性。