STB14N80K5

意法半导体推出的STB14N80K5是一款基于先进MDmesh K5技术平台的高压N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高开关效率与低导通损耗的卓越平衡。其核心架构通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），这对于提升高频开关性能、减少开关损耗至关重要，使其在硬开关和软开关拓扑中均能表现出色。

该MOSFET具备800V的漏源击穿电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id）能力，为高压应用提供了坚实的耐压和载流基础。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、6A漏极电流条件下典型值仅为445毫欧，这一低导通阻抗直接转化为更低的热损耗和更高的系统整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在22nC（@10V），结合±30V的最大栅源电压（Vgs）容限，意味着它易于驱动，并能有效降低对驱动电路的要求，简化设计。

在电气参数方面，STB14N80K5展现了全面的可靠性。其输入电容（Ciss）在100V漏源电压下最大值为620pF，有助于优化开关速度。器件采用坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，在管壳温度（Tc）下最大功率耗散可达130W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行和长寿命。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理渠道获取此产品。

凭借其高压、高效、高可靠性的特点，这款MOSFET非常适合应用于要求严苛的功率转换领域。典型应用场景包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关电路、照明系统的电子镇流器和LED驱动器、以及各类离线式电源适配器和充电器。它在这些应用中能够有效提升功率密度，降低系统温升，是实现紧凑、高效、可靠电源解决方案的关键元器件。

• 型号:STB14N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:445 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB14N80K5是ST意法半导体MDmesh K5系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用表面贴装D2PAK封装，核心规格为800V漏源电压（Vdss）和12A连续漏极电流（Id），专为高压、高功率应用设计。

其技术优势在于实现了优异的开关性能与导通特性的平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至445毫欧（@6A），同时栅极电荷（Qg）最大值仅为22nC，这共同确保了低导通损耗和高频开关效率。高达130W（Tc）的功率耗散能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，进一步保障了其在严苛环境下的可靠性与稳定性。