STB14NK50ZT4

STB14NK50ZT4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，通过创新的单元设计和制造工艺，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）。这种架构的核心优势在于实现了低栅极电荷（Qg）与低导通电阻之间的出色平衡，这对于提升开关电源等高频应用的整体效率至关重要。其表面贴装型的D2PAK封装提供了优异的功率耗散能力，确保器件在高温环境下仍能稳定工作。

在功能特性上，该MOSFET展现出卓越的电气性能。其500V的漏源击穿电压（V_DSS）使其能够从容应对工业级AC-DC变换器中的高压母线环境，提供充足的电压裕量以增强系统可靠性。在25°C壳温条件下，器件可连续通过高达14A的漏极电流，结合仅380mΩ（典型条件下）的低导通电阻，有效降低了导通状态下的功率损耗。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，且栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值仅为4.5V，便于与主流控制器直接接口。此外，其栅极电荷（Qg）和输入电容（C_iss）经过优化，有助于减少开关过程中的驱动损耗和开关时间。

从接口与关键参数来看，STB14NK50ZT4的栅极支持高达±30V的电压，增强了抗干扰能力。其最大结温（T_J）可达150°C，工作温度范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的环境要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品，以确保原装正品和完整的应用支持。这些参数共同指向一个目标：在高电压、大电流的开关应用中实现高效率和高功率密度。

基于其高性能组合，该器件非常适合于要求高效率和高可靠性的功率转换场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关拓扑、工业电机驱动和变频器中的逆变桥臂、以及UPS（不间断电源）和电焊机等设备的功率级。在这些应用中，其低导通损耗和快速开关特性有助于提升系统能效，而高耐压和宽温度范围则确保了长期运行的稳定性，是工程师设计下一代高效能电力电子系统的优选功率开关解决方案。

• 型号:STB14NK50ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:92 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB14NK50ZT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心电气规格包括500V的漏源电压（Vdss）和14A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于通过优化的设计实现了低导通电阻（典型值380mΩ @ 10V）与低栅极电荷（92nC @ 10V）的良好折衷，这直接转化为更低的导通损耗和更快的开关速度，有助于提升系统整体效率。结合150W的功率处理能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其能够胜任对可靠性和性能要求严苛的工业环境。