STB14NK60ZT4

STB14NK60ZT4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡，其核心在于通过精密的单元几何结构和掺杂工艺，显著降低了单位面积下的导通电阻（R_DS(on)），从而提升了功率转换效率。这种架构使得器件在高压开关应用中能够有效管理功率密度与热性能，为系统设计提供了坚实的物理基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其额定漏源电压（V_DSS）高达600V，确保了在离线电源、电机驱动等高压环境下的可靠阻断能力。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）可达13.5A，支持较高的电流处理能力。其导通电阻在10V栅极驱动电压、6A漏极电流条件下典型值仅为500毫欧，这一低R_DS(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更优的温升表现。此外，栅极电荷（Q_g）最大值控制在75nC（@10V），结合±30V的最大栅源电压容限，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度，降低开关过程中的能量损耗。

在接口与参数方面，器件采用标准的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的功率耗散能力和机械强度，其最大功率耗散为160W（T_C）。工作结温范围宽达-55°C至150°C，适应严苛的环境要求。关键的动态参数，如输入电容（C_iss）在25V漏源电压下最大值为2220pF，与栅极电荷共同决定了开关性能。阈值电压V_GS(th)最大为4.5V（@100A），属于标准逻辑电平驱动范畴，方便与主流控制器对接。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其高压、大电流和低损耗的特性，STB14NK60ZT4非常适用于需要高效能和高可靠性的功率电子领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）的功率转换级，以及照明领域的电子镇流器和LED驱动电源。在这些应用中，它能够有效提升系统整体效率，减小散热器尺寸，并增强系统在高压瞬态条件下的鲁棒性。

• 型号:STB14NK60ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2220 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB14NK60ZT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心规格包括600V的漏源击穿电压（V_DSS）以及在壳温25°C下13.5A的连续漏极电流（I_D）能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的导通与开关特性上。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至500毫欧（@6A），有助于显著降低导通损耗。同时，最大栅极总电荷（Q_g）仅为75nC，有利于实现快速开关并减少驱动损耗，提升系统整体效率。这些参数使其成为要求高效率和高可靠性的功率转换设计的理想选择。