STB15NK50ZT4

STB15NK50ZT4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直沟道结构，通过优化单元密度和沟道设计，在保证高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻。其核心在于实现了500V高漏源电压（Vdss）与低至340毫欧的导通电阻（Rds(on)）之间的出色平衡，这一特性对于提升功率转换效率至关重要。

得益于SuperMESH技术，该MOSFET在开关性能上表现优异。其栅极电荷（Qg）典型值较低，有助于减少开关损耗，特别是在高频开关应用如开关电源（SMPS）中，能有效提升整体系统效率。器件在25°C壳温下可承受高达14A的连续漏极电流，并支持±30V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全裕度。其采用表面贴装型D2PAK封装，该封装具有良好的热性能，结合高达160W（Tc）的功率耗散能力，确保了器件在-50°C至150°C的结温范围内稳定可靠地工作。

在电气参数方面，STB15NK50ZT4的阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，在10V驱动电压下能实现完全导通，兼容主流驱动IC。其输入电容（Ciss）特性也经过优化，有助于简化驱动电路设计。对于需要可靠供应链支持的批量项目，建议通过官方授权的ST一级代理进行采购，以保障原厂正品和供货稳定性。

这款MOSFET主要面向中高功率的离线式电源转换领域。其高耐压和良好的开关特性使其非常适用于功率因数校正（PFC）电路、开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明镇流器以及电机驱动逆变器等应用场景。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设备维护、特定批次生产或对成本极其敏感的设计中，它仍然是一个经过市场验证的高性价比选择，工程师在选型时需结合最新的产品生命周期信息进行决策。

• 型号:STB15NK50ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:340 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2260 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB15NK50ZT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心电气规格包括500V的漏源击穿电压（Vdss）以及在10V驱动电压、7A电流条件下最大340毫欧的低导通电阻（Rds(on)），实现了高耐压与低损耗的有效结合。

在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值达14A，最大功耗为160W，工作结温范围覆盖-50°C至150°C，具备较强的功率处理能力和宽温工作适应性。其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数经过优化，有助于降低开关损耗，提升系统效率，主要面向开关电源、照明和电机控制等中功率离线式转换应用。