STB160NF3LLT4

STB160NF3LLT4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，专为高电流、高效率的功率开关应用而设计。其核心架构优化了单元密度和沟道电阻，在保证高可靠性的同时，实现了极低的导通损耗和优异的开关性能，是处理大功率密度应用的理想选择。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的电流处理能力和极低的导通电阻。在25°C的壳温条件下，其连续漏极电流高达160A，而导通电阻在10V栅极驱动电压和80A漏极电流条件下，典型值仅为3.3毫欧。这种低Rds(on)特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在110nC（@4.5V），结合适中的输入电容，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，实现快速、干净的开关动作。

在电气参数方面，STB160NF3LLT4的漏源击穿电压（Vdss）为30V，适用于低压大电流环境。其栅源驱动电压范围宽泛，最大可承受±16V，而开启阈值电压（Vgs(th)）最大值仅为1V，确保了与多种逻辑电平控制信号的兼容性。该器件在壳温条件下的最大功率耗散能力为300W，提供了强大的散热潜力。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST一级代理获取相关服务与产品信息。

凭借其高电流、低阻抗和快速开关的特性，这款MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度要求苛刻的领域。典型应用场景包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流、电机驱动和逆变器中的功率开关、以及各类大电流负载开关和电池保护电路。其D2PAK封装具有良好的机械强度和散热性能，便于在PCB上进行布局和通过散热器进行热管理，满足工业级应用的可靠性需求。

• 型号:STB160NF3LLT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB160NF3LLT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心优势在于其高达160A的连续漏极电流处理能力和极低的导通电阻（典型值3.3mΩ @ 10V, 80A），能够显著降低功率转换应用中的传导损耗。

其电气参数设计针对高效开关进行了优化，包括较低的栅极电荷（110nC @ 4.5V）和30V的漏源电压，确保了快速开关响应与良好的效率表现。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和大电流DC-DC转换器等要求高功率密度和高可靠性应用的理想解决方案。