STB16NM50N

STB16NM50N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，在单一硅片上实现了高耐压与低导通电阻的优异平衡。其核心在于优化的单元结构和工艺，使得电子在沟道和漂移区的传输效率显著提升，从而在给定的芯片面积下，获得了更优的电气性能。这种架构为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达500V，确保了在离线式开关电源、功率因数校正（PFC）等高压应用中的可靠性与安全裕度。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压（Vgs）和7.5A漏极电流（Id）条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为260毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为38nC，结合1200pF的输入电容（Ciss），意味着开关过程中的驱动损耗较低，有利于实现更高频率的开关操作，提升系统功率密度。

在封装与可靠性层面，STB16NM50N采用经典的表面贴装D2PAK（TO-263）封装，具有良好的散热能力和机械强度，其结到外壳的热阻较低，支持高达125W（Tc=25°C时）的功率耗散。器件的工作结温（Tj）最高可达150°C，适应严苛的工作环境。稳定的性能使得它成为许多经典电源设计的优选，尽管其零件状态已标注为停产，但在存量市场或特定延续性项目中仍有需求，用户可通过正规的ST一级代理渠道咨询库存或替代方案信息。

凭借500V/15A的额定参数和MDmesh II技术带来的高效能，这款MOSFET非常适用于要求高耐压和中等电流能力的功率开关场景。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明系统的电子镇流器、电机驱动辅助电源以及不间断电源（UPS）的功率级。它在这些应用中能够有效处理高电压，并通过其快速的开关特性和良好的热性能，帮助系统设计师优化整体能效与可靠性。

• 型号:STB16NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB16NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心额定参数为500V漏源电压（Vdss）和15A连续漏极电流（Id），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的良好结合。在10V Vgs驱动下，Rds(on)典型值低至260毫欧（@7.5A），有助于降低导通损耗；同时，最大38nC的栅极电荷（Qg）有利于降低驱动损耗并支持较高的开关频率。这些特性使其在提升系统能效和功率密度方面具有优势。

该器件设计最大功率耗散为125W（Tc），最高工作结温为150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。它主要面向工业电源、照明电子镇流器及UPS等需要高效高压开关的领域。