STB17N80K5

STB17N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心架构通过创新的单元布局和栅极设计，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了出色的开关特性。这种设计使得器件在高压工作条件下，能够有效管理功率密度和热性能，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其800V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等应用中的高压应力和电压尖峰，提供了宽裕的设计余量。在导通性能方面，其在10V栅极驱动下，导通电阻典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性有助于减少开关过程中的损耗，并简化栅极驱动电路的设计，从而实现更高频率的开关操作，这对于提升功率密度至关重要。

在电气参数与接口方面，STB17N80K5在25°C壳温下可连续通过14A的漏极电流，最大功率耗散达170W，展现了强大的电流处理与散热能力。其栅源电压（Vgs）支持±30V的最大范围，增强了驱动的鲁棒性。器件采用标准的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，这种封装具有良好的热性能，便于通过PCB进行散热，适合自动化贴片生产。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

凭借其高耐压、低损耗和良好的开关性能，STB17N80K5非常适用于对效率和可靠性要求较高的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动与变频器、UPS（不间断电源）系统以及照明镇流器等。在这些应用中，它能够有效提升整机效率，减少热量产生，并有助于实现更紧凑、更可靠的电源解决方案设计。

• 型号:STB17N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 14A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:340 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:866 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB17N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用表面贴装型D2PAK封装，核心优势在于其800V的高漏源电压（Vdss）与较低的导通电阻特性，在10V Vgs、7A Id条件下，Rds(on)最大值仅为340毫欧，这为高压应用中的效率提升奠定了坚实基础。

其电气参数设计兼顾了性能与易用性。器件在壳温25°C下可支持14A的连续漏极电流，最大栅源电压为±30V。同时，优化的栅极电荷（Qg最大值26nC @10V）有助于降低开关损耗并简化驱动设计。这些特性使其成为要求高耐压、高效率与可靠性的功率转换应用的理想选择。