STB180N55F3

STB180N55F3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡，从而在55V的中压应用领域提供了卓越的功率转换效率。

该MOSFET的核心优势在于其极低的导通损耗。在10V栅极驱动电压、60A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为3.5毫欧，这一特性对于降低开关模式电源和电机驱动应用中的传导损耗至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）被控制在100nC（@10V）的水平，有助于减少开关过程中的驱动损耗，提升高频开关性能。器件具备高达120A（Tc=25°C）的连续漏极电流能力和330W（Tc）的最大功率耗散，确保了其在严苛工况下的可靠性与鲁棒性。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，为驱动电路设计提供了充足的裕量。

在电气参数方面，STB180N55F3的漏源击穿电压（Vdss）为55V，适用于48V总线或更低电压的系统。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。器件采用标准的表面贴装D2PAK（TO-263）封装，该封装具有良好的热性能和机械强度，便于自动化生产焊接。其宽广的工作结温范围覆盖-55°C至175°C，使其能够适应工业、汽车等环境要求较高的应用场景。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购咨询。

凭借其优异的性能组合，该器件主要面向高效率的DC-DC转换器、电机驱动控制器（如电动工具、无人机电调）、不间断电源（UPS）以及各类工业电源系统。在这些应用中，它常被用作同步整流的下管或电机驱动的H桥臂开关，其低Rds(on)和高电流处理能力直接贡献于系统整体效率的提升和热管理的简化。

• 型号:STB180N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB180N55F3是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用D2PAK封装，设计用于中压、大电流的开关应用。

其核心电气参数定义了卓越的性能：55V的漏源电压（Vdss）和高达120A（Tc）的连续漏极电流能力，确保了在严苛功率路径中的可靠性。关键优势在于其极低的导通电阻，在10V Vgs、60A Id条件下Rds(on)最大值仅为3.5mΩ，这能显著降低传导损耗。同时，100nC的栅极电荷（Qg）有助于实现高效的开关操作，减少驱动损耗。这些特性使其成为高效率电源转换和电机驱动设计的理想选择。