STB18N60M6

STB18N60M6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心架构通过创新的单元布局和先进的沟槽工艺，显著降低了单位面积的导通损耗，同时确保了在高压开关应用中的高可靠性和坚固性。

该器件具备多项关键性能优势。其600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC转换和电机驱动中的高压母线环境。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值远低于280毫欧（在6.5A条件下测量），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为16.8nC，结合650pF的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于提升开关频率并简化栅极驱动电路的设计。

在电气参数与物理接口层面，STB18N60M6在25°C壳温下可连续通过13A的漏极电流，最大功率耗散为110W，展现了强大的电流处理与散热能力。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.75V，并支持高达±25V的栅源电压，提供了良好的噪声抑制能力和驱动灵活性。器件采用坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的热性能，其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保在严苛环境下的稳定运行。如需获取官方技术支持与供货保障，建议通过ST授权代理进行咨询与采购。

凭借其高性能指标，该MOSFET非常适合应用于要求高效率和高可靠性的功率电子领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不间断电源（UPS）以及照明用电子镇流器等。在这些应用中，其低导通损耗和快速开关特性有助于提升整体能效，降低系统热设计难度，是实现紧凑、高效功率转换解决方案的理想选择。

• 型号:STB18N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:650 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB18N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用表面贴装型D2PAK封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了优异的导通与开关性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为280毫欧，有效降低了传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值16.8nC）和输入电容（Ciss，最大值650pF）确保了快速的开关瞬态，有助于提升系统效率与工作频率。这些特性使其成为工业电源、电机驱动等高效能功率转换设计的可靠选择。