STB18NM60N

STB18NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其第二代MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直DMOS结构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在保持高阻断电压的同时，显著降低了导通电阻和开关损耗。其核心设计旨在实现高能效与高功率密度的平衡，适用于对开关性能有严格要求的功率转换拓扑。

作为MDmesh II系列的一员，该器件继承了该技术平台的低栅极电荷（Qg）和低反向恢复电荷（Qrr）特性。其最大栅极电荷仅为35nC，结合10V的标准驱动电压，有助于简化栅极驱动电路设计并降低开关损耗。同时，285毫欧（@6.5A, 10V）的低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下具有较低的传导损耗，这对于提升系统整体效率至关重要。其600V的漏源击穿电压（Vdss）提供了充足的电压裕量，增强了系统在瞬态过压情况下的可靠性。

在电气参数方面，该器件在25°C壳温（Tc）下可支持高达13A的连续漏极电流，最大功率耗散为110W。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，适应严苛的环境要求。表面贴装的D2PAK封装提供了良好的功率处理能力和散热特性，便于在紧凑的PCB布局中实现有效的热管理。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关的技术资料与供货信息。

凭借其性能组合，STB18NM60N主要面向离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动逆变器以及照明镇流器等应用场景。在这些领域中，其快速开关能力和高电压耐受性有助于构建高效、紧凑的电源解决方案，尤其适用于服务器电源、工业电源和高端适配器等对能效与可靠性要求较高的设备。

• 型号:STB18NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:285 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB18NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用表面贴装D2PAK封装，核心电气规格包括600V的漏源电压（Vdss）以及在壳温25°C下13A的连续漏极电流能力。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合，典型导通电阻为285毫欧（@6.5A, 10V），最大栅极电荷为35nC（@10V）。这一特性使其在开关电源等应用中能够有效降低传导与开关损耗，提升系统整体效率。器件工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在宽温环境下的稳定运行。