STB19NF20

STB19NF20是ST意法半导体基于其先进的MESH OVERLAY技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高电压下的低导通损耗与快速开关性能的平衡。其核心在于通过精细的单元几何结构与制造工艺，在保证200V漏源电压（Vdss）额定值的同时，有效降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），这对于提升功率转换效率至关重要。作为STMicroelectronics产品线中的一员，用户可通过官方授权的ST代理渠道获取完整的技术支持与供应链服务。

该MOSFET在10V栅极驱动电压下，导通电阻典型值表现优异，在7.5A电流条件下最大值仅为160毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和发热量。其栅极电荷（Qg）最大值控制在24nC @ 10V，结合800pF @ 25V的输入电容（Ciss），意味着器件具备较快的开关速度，有助于减少开关过程中的能量损失，适用于高频开关应用。此外，高达15A的连续漏极电流（Id）承载能力与90W（Tc）的最大功率耗散，确保了其在苛刻工况下的稳定运行。

在电气参数方面，STB19NF20的栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V @ 250A，提供了良好的噪声抑制能力，而栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，增强了驱动的鲁棒性。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）使其能够适应工业级和汽车级应用的环境要求。器件采用表面贴装型的D2PAK封装，这种封装形式具有良好的散热性能和较高的功率密度，便于在紧凑的PCB布局中实现有效的热管理。

基于其200V/15A的耐压与电流规格、低导通电阻与栅极电荷的特性组合，STB19NF20非常适用于需要高效功率处理的场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、电机驱动控制电路中的H桥或半桥拓扑、DC-DC转换器以及不间断电源（UPS）系统。在这些应用中，它能够有效提升系统整体效率，降低温升，并有助于实现更小体积、更高可靠性的电源设计方案。

• 型号:STB19NF20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 15A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB19NF20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于MESH OVERLAY产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心额定参数为200V漏源电压（Vdss）和15A连续漏极电流（Id），适用于中高功率应用。

其技术亮点在于优异的导通特性，在10V驱动下导通电阻（Rds(on)）最大值仅为160毫欧 @ 7.5A，同时栅极电荷（Qg）最大值控制在24nC，这共同确保了较低的传导损耗和快速的开关性能。结合90W的最大功率耗散能力与-55°C至150°C的宽工作结温范围，该器件为设计高可靠性、高效率的功率转换系统提供了坚实的硬件基础。