STB20N90K5

作为ST意法半导体MDmesh产品系列中的一员，STB20N90K5是一款采用先进超结技术的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直架构设计，其核心在于通过多外延层和独特的单元结构，在保持高耐压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻。这种架构有效平衡了高电压阻断与低导通损耗之间的矛盾，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET的功能特性围绕其卓越的电气参数展开。其900V的漏源击穿电压使其能够从容应对工业及消费类电源中常见的电网电压波动和感性负载关断时产生的高压尖峰，提供了宽裕的安全裕量。在导通特性方面，在10V驱动电压下，10A电流对应的导通电阻典型值仅为250毫欧，这意味着在正常工作状态下，器件的传导损耗被控制在极低水平。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于降低开关过程中的损耗，提升系统在高频工作下的整体效率。

在接口与参数层面，STB20N90K5设计为表面贴装型，采用坚固的DPAK（TO-263）封装，具有良好的散热性能和功率处理能力，其最大功率耗散可达250W（基于壳温）。器件支持高达±30V的栅源电压，增强了驱动电路的鲁棒性。其宽广的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过正规的ST授权代理渠道获取该产品及相关设计资源。

基于其高耐压、低导通电阻和高效率的特性，这款MOSFET非常适合应用于要求严苛的功率转换场景。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、UPS（不间断电源）系统的逆变器模块，以及照明领域的大功率LED驱动电源。在这些应用中，它能够有效提升系统功率密度和能效，同时凭借其高可靠性保障终端产品的长期稳定运行。

• 型号:STB20N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 20A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB20N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh系列。该器件采用先进的超结技术，实现了900V高漏源电压与低导通电阻的优异结合，在10V Vgs、10A Id条件下，其导通电阻典型值仅为250毫欧，有效降低了传导损耗。

其优化的栅极电荷（典型值40nC @ 10V）有助于实现快速的开关切换，提升系统在高频工作下的效率。器件采用DPAK表面贴装封装，具备250W的强散热能力，工作结温范围宽达-55°C至150°C，为设计高可靠性、高功率密度的电源解决方案提供了核心组件支持。