STB20N95K5

STB20N95K5是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的SuperMESH5系列N沟道功率MOSFET，采用先进的平面工艺和单元结构优化设计。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，其核心架构旨在实现高阻断电压与低导通电阻之间的出色平衡。通过第五代SuperMESH技术，芯片内部的单元密度和沟道设计得到了进一步优化，有效降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时维持了高达950V的漏源击穿电压（V_DSS）能力，为高压开关应用提供了坚实的物理基础。

在功能表现上，该器件展现了卓越的电气特性。其导通电阻典型值在10V栅极驱动电压、9A漏极电流条件下仅为330毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体效率。同时，栅极总电荷（Q_g）典型值低至40nC（@10V），结合适中的输入电容（C_iss），意味着更快的开关速度和更低的栅极驱动损耗，有利于在高频开关电路中工作。器件在25°C壳温（T_C）下可承受高达17.5A的连续漏极电流，最大功率耗散能力为250W，展现了强大的电流处理与散热潜力。

从接口与参数规格来看，STB20N95K5设计为表面贴装型，采用坚固的D2PAK（TO-263）封装，具有良好的功率承载能力和散热特性。其栅源电压（V_GS）最大额定值为±30V，提供了宽裕的驱动安全裕度；栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为5V（@100A），确保了与标准逻辑电平或驱动IC的良好兼容性。其宽泛的工作结温（T_J）范围从-55°C延伸至150°C，保证了其在严苛环境下的可靠性与稳定性。如需获取官方技术支持和供货信息，可以咨询授权的ST代理。

基于其高电压、低损耗及快速开关的特性，STB20N95K5非常适用于要求高效率和高可靠性的中高功率应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器中的DC-AC转换环节。在这些领域中，它能够有效提升系统能效，减小散热器尺寸，并增强整体方案的功率密度。

• 型号:STB20N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 17.5A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB20N95K5是ST意法半导体SuperMESH5系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK表面贴装封装。其核心优势在于高达950V的漏源电压（V_DSS）额定值与低至330毫欧（@9A, 10V）的导通电阻（R_DS(on)）的出色结合，这得益于第五代SuperMESH技术对芯片单元结构的优化。

该器件具备17.5A（T_C=25°C）的连续电流处理能力和250W的最大功率耗散，同时其低栅极电荷（Q_g典型值40nC @10V）特性有助于实现快速开关并降低驱动损耗。宽泛的-55°C至150°C工作结温范围确保了其在高压、高功率应用环境下的稳定性和可靠性，是提升开关电源、电机驱动及新能源逆变系统效率的理想选择。