STB21NK50Z

STB21NK50Z是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的SuperMESH技术制造，并符合汽车级AEC-Q101标准。该器件设计用于在严苛的汽车电子环境中提供高可靠性和卓越的开关性能，其核心架构通过优化的单元设计和工艺技术，在保持高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），从而实现了更低的传导损耗。

该MOSFET具备500V的高漏源击穿电压（V_DSS），能够有效应对工业及汽车应用中的电压尖峰和浪涌。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达17A，结合最大仅270毫欧的导通电阻（在8.5A，10V条件下），确保了在高电流负载下仍能维持高效率。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，最大栅源电压（V_{GS）可承受±30V，提供了较强的抗干扰能力。此外，其栅极电荷（Qg）典型值较低，有助于减少开关损耗，提升高频开关应用的性能。}

在接口与参数方面，器件采用坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的散热性能和功率处理能力，在壳温条件下最大功耗可达190W。其结温（T_J）最高可工作至150°C，适应高温工作环境。关键的动态参数，如输入电容（C_iss）在25V下最大为2600pF，与栅极电荷共同决定了开关速度。用户可通过正规的ST代理商获取完整的技术资料和支持。需要注意的是，此产品目前已处于停产状态，在新设计中选择时需考虑替代方案或库存情况。

得益于其高耐压、低导通电阻及汽车级可靠性，STB21NK50Z非常适用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括汽车系统中的电机驱动（如风扇、泵类）、DC-DC转换器、开关电源（SMPS）的初级侧开关，以及工业照明和功率因数校正（PFC）电路。其设计平衡了性能与鲁棒性，是针对中高功率开关应用而优化的解决方案。

• 型号:STB21NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:119 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB21NK50Z是ST意法半导体基于SuperMESH技术制造的N沟道功率MOSFET，符合AEC-Q101汽车级标准。该器件核心特性包括500V的漏源电压（V_DSS）和17A的连续漏极电流（I_D），能够在高电压、大电流的汽车及工业环境中稳定工作。

其关键优势在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为270毫欧（@8.5A），有效降低了传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Q_g）有助于提升开关效率。器件采用D2PAK封装，支持表面贴装，最大功耗190W（T_C），工作结温高达150°C，确保了在高温高功耗应用下的可靠性。