STB21NM60N

STB21NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心架构通过创新的单元布局和工艺技术，有效降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时保持了出色的开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（V_DSS），能够从容应对工业级应用中的高压应力环境。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达17A，配合140W的最大功率耗散能力，确保了器件在持续高功率运行下的可靠性。其导通电阻在10V栅极驱动电压、8.5A漏极电流条件下典型值仅为220毫欧，这一低R_DS(on)特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。此外，66nC的栅极总电荷（Q_g）与1900pF的输入电容（C_iss）参数，表明其具有较快的开关速度，有助于减少开关过程中的能量损失，简化栅极驱动电路的设计。

器件采用表面贴装型D2PAK封装，这种封装形式提供了良好的机械强度和散热性能，便于在自动化生产线上进行焊接，并有利于将热量传导至PCB或散热器。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大栅源电压（V_GS）可承受±25V，增强了系统的鲁棒性。最高结温（T_J）可达150°C，拓宽了其在高温环境下的工作窗口。用户可通过授权的ST代理商获取该产品的详细技术资料与供应链支持。

凭借其高耐压、大电流和低损耗的特性，STB21NM60N非常适用于要求严苛的功率电子领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不同断电源（UPS）以及高性能照明镇流器等。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计中所体现的技术理念和性能参数，对于理解高压MOSFET的选型与替代方案仍有重要参考价值。

• 型号:STB21NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:66 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB21NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心规格包括600V的漏源电压（V_DSS）和25°C下17A的连续漏极电流（I_D），具备处理高功率应用的能力。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的良好结合，在10V V_GS、8.5A I_D条件下，R_DS(on)最大值仅为220毫欧，同时栅极总电荷（Q_g）典型值为66nC。这些参数共同作用，旨在最大限度地降低导通与开关损耗，提升系统能效。器件支持高达150°C的结温工作，确保了在高温环境下的稳定运行。