STB22NS25ZT4

STB22NS25ZT4是ST意法半导体基于其先进的MESH OVERLAY技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。其核心设计旨在为高压开关应用提供高效率与高可靠性，封装形式为坚固耐用的表面贴装型D2PAK，便于自动化生产并具有良好的散热能力。

该MOSFET的突出特性在于其250V的漏源击穿电压（Vdss）与22A的连续漏极电流（Id）能力，这使其能够从容应对中高功率等级的开关场景。在驱动方面，其栅极阈值电压（Vgs(th)）典型值较低，确保了在标准逻辑电平下的易驱动性。尤为关键的是，在10V栅源电压下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为150毫欧（测试条件为11A），这一低导通阻抗特性直接转化为更低的通态损耗，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极总电荷（Qg）被控制在151nC（@10V）的水平，有助于降低开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计。

在电气参数上，STB22NS25ZT4的栅源电压耐受范围为±20V，提供了充足的驱动安全裕量。其输入电容（Ciss）为2400pF，是评估开关速度与驱动电流需求的重要依据。器件的最大功率耗散能力为135W（基于壳温Tc），结合D2PAK封装良好的热传导路径，能够有效管理开关过程中的热量。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST中国代理获取相关的技术资料与库存信息。

凭借其高压、大电流和低损耗的特性，这款MOSFET非常适用于要求高效率与高可靠性的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器中的H桥或半桥拓扑，以及不间断电源（UPS）和工业照明中的电子镇流器。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设备维护或特定长生命周期产品设计中，它仍然是一个经过市场验证的关键功率开关解决方案。

• 型号:STB22NS25ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 22A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:151 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:135W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 想获取STB22NS25ZT4的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STB22NS25ZT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于MESH OVERLAY产品系列，采用D2PAK表面贴装封装。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气参数包括250V的漏源电压（Vdss）和22A的连续漏极电流（Id）承载能力。

其技术优势体现在优异的导通特性上，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为150毫欧，同时栅极总电荷（Qg）控制在151nC，这共同实现了低导通损耗与可管理的开关损耗，有助于提升系统能效。器件支持高达135W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在 demanding 应用环境下的鲁棒性与长期可靠性。