STB23NM50N

STB23NM50N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，通过降低单元密度和优化内部电荷平衡，在保持高阻断电压能力的同时，显著改善了开关性能与导通损耗之间的权衡关系。其核心设计旨在满足高效率、高可靠性的功率转换需求，适用于需要处理中高功率等级的应用环境。

该MOSFET具备500V的漏源击穿电压（Vdss）和17A的连续漏极电流（Id）能力，为设计提供了宽裕的电压与电流余量。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、8.5A电流条件下典型值仅为190毫欧，这一低导通阻抗特性直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体能效。同时，器件拥有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），分别典型值为45nC @ 10V和1330pF @ 50V，这有效降低了开关过程中的驱动损耗和开关延迟，使得高频开关操作成为可能，从而允许使用更小的磁性元件和滤波电容。

在接口与参数方面，STB23NM50N采用标准的表面贴装D2PAK封装，具有良好的功率耗散能力，在管壳温度（Tc）下最大功耗可达125W，其结温（Tj）最高可支持至150°C，确保了在严苛热环境下的稳定运行。其栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±25V，而阈值电压Vgs(th)最大值为4V @ 250A，提供了良好的噪声抑制能力和易驱动性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取原厂正品和技术支持。

凭借其优异的性能组合，该器件非常适合应用于开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及电焊机等中高功率电子设备中。在这些场景下，其高耐压、低损耗和快速开关特性能够有效提升功率密度和转换效率，满足现代电力电子系统对高性能与高可靠性的双重追求。

• 型号:STB23NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1330 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB23NM50N是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用表面贴装D2PAK封装，核心参数包括500V的漏源电压（Vdss）和17A的连续漏极电流（Id），为中等功率应用提供了坚实的电压与电流处理能力。

其关键优势在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至190毫欧，有助于最小化传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，有利于实现高频、高效率的功率转换设计。器件最高结温达150°C，并支持125W的功率耗散，保证了在高温环境下的可靠运行。