STB24N60M2

STB24N60M2是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心在于通过改进的单元结构和外延层工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（RDS(on)），同时保持了快速开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss）和18A的连续漏极电流（Id）能力，为高压应用提供了坚实的可靠性基础。其导通电阻在10V栅极驱动电压、9A漏极电流条件下典型值仅为190毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗。此外，器件拥有优化的栅极电荷（Qg）特性，最大值仅为29nC @ 10V，结合较低的输入电容（Ciss），有助于实现更快的开关速度和降低驱动电路的损耗，从而简化栅极驱动设计并提升系统频率。

在接口与参数方面，STB24N60M2采用标准的10V逻辑电平驱动，与多数控制器兼容便捷。其栅源电压（Vgs）最大可承受±25V，提供了较强的抗干扰能力。器件采用坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，该封装具有良好的热性能，结合高达150W（Tc）的功率耗散能力，确保其在-55°C至150°C的结温范围内稳定工作。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品的详细信息与供货服务。

凭借其高性能指标，STB24N60M2非常适用于要求高效率和高可靠性的功率电子领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不同断电源（UPS）以及电焊机等设备中的功率开关部分。在这些场景中，其低损耗和快速开关特性有助于提升系统能效等级，降低热管理复杂度，是实现紧凑、高效功率解决方案的理想选择。

• 型号:STB24N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB24N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，提供600V的漏源电压（Vdss）和18A的连续漏极电流（Id）处理能力，适用于高压高功率应用环境。

其核心优势在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（RDS(on)）典型值低至190毫欧，有效降低了导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg，最大29nC）和输入电容特性确保了快速的开关速度，有助于提升系统效率和工作频率。器件采用D2PAK封装，支持表面贴装，具备良好的散热能力，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，满足工业级应用的可靠性要求。