STB24N65M2

STB24N65M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡，其核心在于通过创新的单元结构和工艺控制，显著降低了特定导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）的乘积，这一关键指标直接关系到开关电源系统的效率与开关频率上限。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（V_DSS）高达650V，为应对工业及消费类电源中常见的电压应力提供了充足的裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为16A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻在10V栅极驱动电压、8A漏极电流条件下典型值仅为230毫欧，这一低R_{DS(on)特性有效降低了器件在导通状态下的功率损耗，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极总电荷（QG）在10V VGS下最大值仅为29nC，结合较低的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的栅极驱动损耗，有利于设计高频高效的功率转换电路。}

在接口与参数方面，该器件采用标准的10V栅极驱动电压，与主流控制器兼容性好，其栅源电压（V_GS）可承受±25V的最大值，提供了良好的抗干扰能力。器件采用坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有优异的导热性能和功率耗散能力，在壳温（T_C）条件下最大功耗可达150W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。用户可通过官方ST代理获取详细的技术资料与设计支持。

得益于其高耐压、低导通与开关损耗的特性组合，STB24N65M2非常适用于要求高效率和高功率密度的离线式开关电源（SMPS）应用，例如服务器电源、通信电源、工业电源以及PC和电视的电源适配器。它常被用作功率因数校正（PFC）电路的主开关管或反激、半桥、全桥等拓扑结构中的功率开关元件，是工程师构建高效、紧凑型电源解决方案的可靠选择。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计中选择时需考虑替代型号的可用性。

• 型号:STB24N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 16A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:230 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB24N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用MDmesh M2技术，封装为D2PAK。其核心优势在于650V的高漏源电压（Vdss）与16A（Tc）的连续漏极电流处理能力，为高压大电流应用提供了坚实基础。

该器件的关键性能参数包括：在10V驱动电压下，导通电阻（RdsOn）最大值仅为230毫欧（@8A），有效降低了导通损耗；栅极电荷（Qg）最大值低至29nC（@10V），有利于实现高速开关并减少驱动损耗。这些特性使其在要求高效率的功率转换场景中表现出色。

其表面贴装型D2PAK封装支持150W（Tc）的最大功率耗散，工作结温范围宽达-55°C ~ 150°C，确保了良好的热管理和环境适应性，适用于各类开关电源设计。