STB25N80K5

STB25N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单晶元上实现了卓越的电气性能平衡，其核心在于通过第五代超级结（Super Junction）技术显著降低了单位面积下的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）的乘积（R_DS(on) * Q_g），这一指标是衡量开关损耗与导通损耗综合性能的关键。这种架构上的革新使得器件在高频开关应用中能够同时兼顾高效率与低发热。

该MOSFET具备800V的漏源击穿电压（V_DSS），提供了坚固的电压裕量，增强了系统在浪涌及开关瞬态过程中的可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达19.5A，而导通电阻在10V栅极驱动电压、19.5A电流条件下最大仅为260毫欧，这直接转化为更低的导通损耗。其栅极特性经过精心优化，最大栅极阈值电压（V_GS(th)）为5V，确保了与标准逻辑电平驱动的良好兼容性，同时最大栅极电荷（Q_g）低至40nC，配合±30V的最大栅源电压（V_GS）耐受能力，使得开关过程快速且驱动电路设计更为简便，有助于降低开关损耗并提升整体能效。

在封装与热管理方面，STB25N80K5采用工业标准的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的功率处理能力和散热特性，其最大功率耗散可达250W（壳温条件）。宽广的工作结温范围（-55°C 至 150°C）使其能够适应苛刻的环境要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品，确保原装正品与完备的售前售后服务。

凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关特性以及稳健的封装，STB25N80K5非常适用于要求高效率和高可靠性的中高功率开关电源（SMPS）领域，如服务器电源、通信基础设施电源、工业电源以及照明应用的功率因数校正（PFC）电路和DC-DC转换器中的主开关或同步整流环节。其性能表现使其成为提升系统功率密度和能源效率的理想选择。

• 型号:STB25N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 19.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB25N80K5是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件核心优势在于其800V的高漏源电压（V_DSS）和19.5A的连续漏极电流（I_D）能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点包括极低的导通电阻（最大260mΩ @ 10V, 19.5A）和优化的开关特性，如低至40nC的栅极电荷（Q_g），这共同确保了较低的导通损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。器件采用D2PAK封装，支持高达250W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛环境下的高可靠性设计。