STB25NM50N-1

作为ST意法半导体MDmesh II产品系列中的一员，STB25NM50N-1是一款采用先进功率MOSFET技术的N沟道器件。其核心架构基于优化的垂直DMOS结构，并结合了MDmesh II的专利技术，该技术通过在漏极侧引入创新的电荷平衡结构，显著改善了器件的品质因数（Rds(on) * Qg）。这种设计在维持高阻断电压的同时，有效降低了单位面积的导通电阻和栅极电荷，从而在开关应用中实现了更低的传导损耗和开关损耗。

该器件在功能上展现出强大的性能。高达500V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级功率转换中的高压应力环境。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值可达22A，提供了可观的电流处理能力。一个关键的性能指标是其导通电阻，在10V栅极驱动电压、11A漏极电流的测试条件下，其最大值仅为140毫欧，这直接关系到导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）在10V Vgs条件下最大值为84nC，较低的Qg值有助于简化驱动电路设计并提升开关速度。这些特性共同确保了器件在高频开关电源中能够实现高效率与高可靠性。

在接口与参数方面，STB25NM50N-1采用标准的10V驱动电压，栅源电压（Vgs）最大可承受±25V，为驱动设计提供了充足的裕量。其输入电容（Ciss）在25V Vds下最大为2565pF，是评估开关动态特性的重要参数。器件采用通孔安装的I2PAK封装，该封装具有良好的机械强度和散热性能，其最大功率耗散能力在壳温条件下为160W，最高结温（Tj）可达150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。需要指出的是，该器件目前已处于停产状态，在为新设计选型时需考虑替代方案，但通过正规的ST芯片代理渠道，仍可能获取库存用于现有产品的维护与生产。

基于其高压、大电流和快速开关的特性，这款MOSFET非常适用于对效率和功率密度有较高要求的离线式开关电源（SMPS）拓扑，如功率因数校正（PFC）电路、硬开关和软开关DC-DC变换器（如反激、正激、半桥）。此外，它在电机驱动控制、不间断电源（UPS）、工业照明（如HID灯电子镇流器）以及电焊机等工业电力电子设备中，也能作为核心的功率开关元件发挥关键作用。

• 型号:STB25NM50N-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2565 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 想获取STB25NM50N-1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STB25NM50N-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II系列。该器件设计用于高压、高频率的开关应用，其核心优势在于优异的导通电阻与栅极电荷平衡，旨在最大化电源转换效率。

器件额定值为500V漏源电压和22A连续漏极电流（Tc=25°C），采用I2PAK通孔封装。其关键参数包括：在10V Vgs、11A Id条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值为140毫欧；在10V Vgs下，栅极总电荷（Qg）最大值为84nC。这些特性使其能够有效降低导通与开关损耗，适用于要求严苛的工业电源解决方案。