STB28NM60ND

STB28NM60ND是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于通过改进的单元结构和外延层工艺，在维持600V高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其标称连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达23A，并支持高达190W的功率耗散能力，展现了强大的电流处理与散热性能。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值较低，这直接有助于减少导通状态下的功率损耗。此外，其栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）经过优化，有助于降低开关过程中的损耗并提升开关速度，使得器件在高频开关应用中也能保持高效运行。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了较宽的安全驱动范围。

在接口与参数方面，STB28NM60ND采用标准的表面贴装D2PAK封装，具有良好的功率处理能力和便于PCB布局安装的特点。其关键静态参数包括600V的漏源击穿电压（Vdss）和150°C的最大结温（Tj），确保了在严苛环境下的可靠工作。动态参数方面，优化的栅极特性有助于简化驱动电路设计。对于需要可靠供应链与技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品的进一步信息、样品及设计支持。

凭借高耐压、低导通电阻和高开关性能的组合，STB28NM60ND非常适用于要求高效率和高功率密度的开关电源（SMPS）拓扑，如功率因数校正（PFC）电路、硬开关和软开关拓扑的DC-DC转换器。它也常见于工业电机驱动、不间断电源（UPS）以及照明镇流器等应用场景，为工程师提供了一种能够提升系统能效和可靠性的高性能功率开关解决方案。

• 型号:STB28NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB28NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）和23A的连续漏极电流（Id），具备强大的功率处理能力。

其技术亮点在于通过先进的工艺实现了低导通电阻与优化的开关特性平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻表现优异，有助于降低导通损耗。同时，经过管理的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）有助于提升开关效率，减少开关损耗，使其适用于高频开关应用。这些特性共同指向提升系统能效与功率密度的设计目标。