STB30NM50N

STB30NM50N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了低导通电阻与快速开关特性的卓越平衡。其核心在于多外延层与独特的单元布局，有效降低了单位面积的比导通电阻（R_DS(on)），同时通过精心设计的栅极和电荷平衡技术，显著改善了开关过程中的动态性能，减少了开关损耗，这对于提升整体电源系统的效率至关重要。

在电气特性方面，该器件展现出强大的性能。其额定漏源电压（V_DSS）高达500V，能够从容应对工业级应用中的高压环境。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（I_D）可达27A，确保了出色的电流处理能力。其导通电阻（R_DS(on)）在10V栅极驱动电压、13.5A漏极电流条件下，典型值仅为115毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。此外，其栅极电荷（Q_g）典型值为94nC（@10V），较低的栅极电荷需求简化了驱动电路设计，有助于实现更高的开关频率，从而减小磁性元件的体积。器件采用坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，在提供高达190W（Tc）功率耗散能力的同时，也便于自动化生产焊接。

得益于其高耐压、大电流和低损耗的特性，STB30NM50N非常适合应用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关拓扑、工业电机驱动与控制的逆变器模块、不间断电源（UPS）系统以及电焊机等专业设备。尽管该产品目前已处于停产状态，但市场上仍有库存可供选择，工程师在为新设计选型时，可咨询专业的ST代理商以获取替代型号建议或库存信息，确保项目开发的连续性。

• 型号:STB30NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 27A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:115 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:94 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2740 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB30NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用表面贴装型D2PAK封装，核心规格为500V漏源电压（Vdss）与27A连续漏极电流（Id），具备强大的功率处理能力。

其技术亮点在于实现了优异的效率平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（RdsOn）低至115毫欧（@13.5A），有效降低了导通损耗。同时，94nC的典型栅极电荷（Qg @10V）有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗。这些特性使其成为要求高效率和高可靠性的中高功率开关电源、电机驱动等应用的理想选择。