STB34N50DM2AG

STB34N50DM2AG是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款面向汽车级应用的N沟道功率MOSFET。该器件隶属于经过AEC-Q101认证的Automotive产品系列，并采用了ST先进的MDmesh DM2技术平台。这一平台的核心在于其优化的垂直结构，通过在单元密度与导通电阻之间取得精妙平衡，旨在显著降低开关损耗并提升整体能效，尤其适合在硬开关和软开关拓扑中工作。

该MOSFET具备500V的漏源击穿电压（Vdss）和26A的连续漏极电流（Id）能力，为高压、大电流应用提供了坚实的电气基础。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、12.5A漏极电流条件下典型值仅为120毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，44nC的栅极总电荷（Qg）与1850pF的输入电容（Ciss）共同构成了优异的开关性能，有助于实现更高的工作频率并简化栅极驱动电路的设计。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±25V，增强了抗干扰能力。

在封装与可靠性方面，该器件采用标准的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的功率耗散能力，在管壳温度（Tc）下最大功耗可达190W。其结温工作范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取该产品及相关设计资源。

基于其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，STB34N50DM2AG非常适用于要求严苛的汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、油泵/水泵控制、DC-DC转换器以及车载充电机（OBC）的PFC（功率因数校正）和初级侧开关电路。此外，在工业电源、服务器电源和通信电源等高性能开关电源设计中，它也能作为主功率开关管，有效提升系统效率和功率密度。

• 型号:STB34N50DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 26A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1850 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB34N50DM2AG是ST意法半导体基于MDmesh DM2技术开发的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其500V的漏源电压和26A的连续电流处理能力，结合低至120毫欧的导通电阻，能够显著降低高压应用中的传导损耗。

其开关特性经过优化，44nC的低栅极电荷有助于实现快速开关并减少驱动损耗，提升系统效率。器件采用D2PAK封装，最大功耗190W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，完全符合AEC-Q101标准，确保了在汽车及工业等恶劣环境下的长期可靠性与稳定性。