STB34N65M5

作为ST意法半导体MDmesh V产品系列中的一员，STB34N65M5是一款采用先进垂直沟槽栅极架构的N沟道功率MOSFET。其核心设计基于MDmesh V技术，该技术通过优化单元密度和电荷平衡，在高压条件下实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）乘积，即优异的品质因数（FOM），这直接关系到开关电源的效率和功率密度。该器件采用表面贴装型D2PAK封装，具有良好的散热性能和机械强度，适用于自动化生产。

在功能表现上，该器件具备650V的高漏源击穿电压（Vdss），为离线式开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路提供了充足的电压裕量，增强了系统在电网波动下的可靠性。其导通电阻最大值仅为110毫欧（在14A，10V条件下），配合28A的连续漏极电流（Tc）能力，意味着在导通期间能够有效降低传导损耗，提升整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在62.5nC（在10V条件下），这有助于降低开关过程中的驱动损耗，实现更高频率的开关操作，从而允许使用更小的磁性元件。

从接口与参数来看，该MOSFET的栅极驱动电压（Vgs）标准为10V，最大耐受值为±25V，为驱动电路设计提供了灵活性。其输入电容（Ciss）典型值有助于评估开关速度。器件在管壳温度（Tc）下的最大功率耗散为190W，结合高达150°C的结温（TJ），确保了其在严苛热环境下的稳定运行。这些参数共同构成了一个高效、可靠的功率开关解决方案。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取此型号及相关技术支持。

基于其高性能参数，STB34N65M5非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括工业级开关电源、服务器和电信设备的电源单元、大功率LED照明驱动以及不间断电源（UPS）系统。尤其是在硬开关和准谐振反激式拓扑结构中，其低Rds(on)和低Qg的特性能够显著降低开关损耗和传导损耗，是实现80 Plus金牌或更高能效标准电源设计的理想选择之一。

• 型号:STB34N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB34N65M5是ST意法半导体推出的MDmesh V系列N沟道功率MOSFET，采用D2PAK表面贴装封装。其核心优势在于结合了650V的高耐压与110毫欧的低导通电阻（Rds(on)），同时栅极电荷（Qg）被优化至62.5nC，这一组合有效平衡了传导损耗与开关损耗，为高效率电源设计提供了关键支持。

该器件在25°C管壳温度下可承受28A的连续漏极电流，最大功率耗散达190W，并支持高达150°C的结温工作，确保了在高温环境下的稳定性和鲁棒性。这些特性使其成为工业电源、服务器电源、PFC电路及LED驱动等中高功率密度应用的优选功率开关元件。