STB36N60M6

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STB36N60M6是一款采用先进MDmesh M6技术的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直结构设计，在单晶片上实现了超结（Super-Junction）特性，旨在显著降低单位面积下的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）的乘积，即优值系数（FOM）。这一核心架构的改进，使得器件在高速开关应用中能够同时兼顾低导通损耗与低开关损耗，为提升系统整体能效奠定了坚实基础。

得益于MDmesh M6技术，STB36N60M6在600V的漏源电压（V_DSS）额定值下，展现出卓越的电气性能。其导通电阻在结温（T_C）25°C、栅源电压（V_GS）为10V、漏极电流（I_D）为15A的条件下，典型值低至99毫欧，确保了在导通状态下的功率损耗最小化。同时，其栅极总电荷（Q_G）在V_GS=10V时最大仅为44.3nC，结合较低的输入电容（C_iss），大幅降低了驱动电路的负担，有利于实现更高频率的开关操作并简化栅极驱动设计。该器件在壳温下可承受30A的连续漏极电流，最大功率耗散达208W，工作结温范围宽至-55°C至150°C，提供了强大的过载能力和可靠的工作范围。其采用坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的散热性能和机械强度，适合自动化贴装生产。如需获取官方技术支持和供货信息，可以咨询ST中国代理。

在接口与参数方面，STB36N60M6的栅极驱动电压范围宽，标准驱动电压为10V，最大栅源电压可承受±25V，增强了抗干扰能力。其阈值电压V_GS(th)最大值为4.75V（在I_D=250A条件下），提供了充足的噪声容限。这些参数共同塑造了一款兼具高性能与高鲁棒性的功率开关器件。

基于其高耐压、低损耗和快速开关的特性，STB36N60M6非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主逆变级、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电焊机等功率转换设备。在这些应用中，它能够有效提升系统效率，减小散热器尺寸，从而帮助设计者实现更紧凑、更节能的电源解决方案。

• 型号:STB36N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1960 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:208W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB36N60M6是ST意法半导体基于MDmesh M6技术开发的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK封装。其核心优势在于600V的漏源电压（V_DSS）和30A（T_C）的连续漏极电流额定值，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

该器件的关键电气参数突出了其高效能特性：导通电阻（R_DS(on)）低至99mΩ（@15A, 10V），有助于显著降低导通损耗；同时，其栅极电荷（Q_G）最大值仅为44.3nC（@10V），有利于实现快速开关并降低驱动损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和208W（T_C）的功率耗散能力，则确保了其在严苛环境下的高可靠性。