STB38N65M5

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STB38N65M5是一款采用先进MDmesh V技术平台的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直架构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于通过创新的单元结构和外延层工艺，显著降低了单位面积下的导通电阻（R_DS(on)），同时保持了优异的开关特性，这对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET具备650V的漏源击穿电压（V_DSS），能够从容应对工业及消费类电源中常见的电压应力和开关尖峰，确保了高可靠性运行。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达30A，配合仅95mΩ（典型值@10V， 15A）的最大导通电阻，意味着在导通期间产生的传导损耗极低。其栅极电荷（Q_g）典型值控制在71nC（@10V），结合3000pF的输入电容（C_iss），共同贡献了快速的开关速度和较低的驱动损耗，有利于提高开关频率并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，STB38N65M5采用标准的10V栅极驱动电压，栅源电压（V_GS）最大可承受±25V，提供了宽裕的安全裕度。其最大结温（T_J）为150°C，在表面贴装D2PAK封装下，最大功耗能力达到190W（壳温条件），展现了强大的散热潜力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过正规的ST芯片代理获取原厂正品和技术支持。这种封装形式兼顾了功率处理能力和自动化生产的便利性。

凭借其高性能指标，该器件非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关拓扑、工业电机驱动与控制的逆变器模块、以及不间断电源（UPS）和太阳能逆变器中的功率转换单元。其稳健的设计使其成为替代传统解决方案、提升系统能效和可靠性的理想选择。

• 型号:STB38N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:95 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:71 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB38N65M5是ST意法半导体基于MDmesh V技术开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其650V的高耐压与低至95mΩ（@10V， 15A）的导通电阻，在高压应用中能有效降低传导损耗，提升系统效率。

其30A的连续漏极电流承载能力和71nC的低栅极电荷，确保了强大的功率处理能力与快速的开关性能。采用D2PAK表面贴装封装，支持高达190W的功率耗散，工作结温可达150°C，为高可靠性、高功率密度的电源与电机驱动设计提供了坚实的硬件基础。