STB41N40DM6AG

STB41N40DM6AG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款符合汽车级（AUTOMOTIVE-GRADE）标准的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面工艺技术构建，其核心架构旨在实现高耐压与低导通电阻的优异平衡。其400V的漏源击穿电压（Vdss）为高压开关应用提供了坚实的可靠性基础，而优化的单元设计有效降低了导通损耗，提升了整体能效。

该MOSFET具备多项面向严苛应用环境的设计特点。其符合AEC-Q101标准，确保了在汽车电子系统中所需的极高可靠性与长期稳定性。器件采用TO-263（DPak）表面贴装封装，这种封装形式不仅提供了良好的散热性能，便于在功率PCB上实现紧凑布局，还具备较强的机械鲁棒性。其栅极驱动特性经过优化，有助于简化驱动电路设计并减少开关损耗，对于提升系统频率和效率至关重要。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品的技术支持和供货服务。

在电气参数方面，该器件针对高压开关操作进行了深度优化。其导通电阻（Rds(on)）在特定栅极电压下具有较低典型值，这直接转化为更低的通态功耗和更少的热量产生。栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）等动态参数的控制，使其能够实现快速、干净的开关转换，这对于开关电源（SMPS）、电机驱动等应用中的电磁兼容性（EMC）和效率表现尤为重要。其宽泛的工作温度范围确保了在发动机舱等高温环境下也能稳定运行。

得益于其汽车级认证和稳健的性能，STB41N40DM6AG非常适用于对可靠性和耐用性要求极高的领域。其主要应用场景包括汽车内部的DC-DC转换器、电动助力转向（EPS）系统、燃油泵与水泵驱动、以及电池管理系统的负载开关。此外，在工业控制、通信电源等需要400V等级高压开关的场合，该器件同样能凭借其高耐压和低损耗特性提供可靠的解决方案。

• 型号:STB41N40DM6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 400 V
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):41A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 20.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2310 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB41N40DM6AG是ST意法半导体生产的一款AEC-Q101认证的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高压开关应用，其核心特性包括400V的漏源电压（Vdss）额定值，以及经过优化的导通电阻与栅极电荷参数，旨在实现高效率与低功耗。

器件采用TO-263（DPak）表面贴装封装，提供了良好的功率处理能力和散热特性，适合在空间受限且环境严苛的汽车电子模块中使用。其汽车级品质确保了在宽温度范围和振动条件下长期工作的可靠性，是汽车动力总成、车身电子及工业电源系统中高压侧开关的理想选择。