STB45N60DM2AG

STB45N60DM2AG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的MDmesh DM2系列N沟道功率MOSFET，采用先进的垂直型DMOS结构。该架构通过优化的单元设计和外延层工艺，在维持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）。其核心在于实现了低栅极电荷（Qg）与低导通电阻之间的出色平衡，这对于提升开关电源等应用的整体效率至关重要。

该器件具备600V的漏源击穿电压（V_DSS）和34A的连续漏极电流（I_D）能力，为高压大电流应用提供了坚实的保障。其导通电阻在10V驱动电压、17A电流条件下典型值仅为90毫欧，有效降低了导通损耗。同时，最大56nC的栅极总电荷有助于减少开关过程中的驱动损耗和开关时间，提升系统在高频下的工作性能。其栅源电压（V_GS）耐受范围达±25V，增强了驱动的鲁棒性。

在接口与参数方面，该MOSFET采用标准的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的功率耗散能力，在管壳温度（T_C）下最大可承受250W的功率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。该产品属于汽车级AEC-Q101认证系列，满足汽车电子对高可靠性和长寿命的严格要求。对于需要稳定供货和原厂技术支持的客户，通过授权的ST一级代理进行采购是可靠的选择。

基于其高性能与高可靠性，STB45N60DM2AG非常适用于要求苛刻的功率转换领域。典型应用包括汽车系统中的DC-DC转换器、车载充电机（OBC）、电机驱动，以及工业领域的开关模式电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路和不间断电源（UPS）。在这些场景中，其优异的开关特性与低损耗特性能够直接提升系统能效和功率密度。

• 型号:STB45N60DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB45N60DM2AG是ST意法半导体推出的AEC-Q101汽车级N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2系列。该器件采用D2PAK封装，核心参数包括600V的漏源电压（V_DSS）和34A的连续漏极电流（I_D），为高压大电流应用提供了基础保障。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上：在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至90毫欧@17A，有效降低了导通损耗；同时，最大56nC的栅极电荷（Q_g）有助于实现快速开关并减少驱动损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和250W的功率耗散能力，使其能够满足汽车及工业环境中对高效率和高可靠性的严苛要求。