STB46N30M5

STB46N30M5是意法半导体（STMicroelectronics）推出的MDmesh V系列N沟道功率MOSFET，采用先进的垂直DMOS工艺制造，专为满足严苛的汽车电子与高效能工业应用需求而设计。该器件采用D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具备优异的功率处理能力和热性能，其核心架构基于优化的单元结构和栅极设计，旨在实现极低的导通电阻与开关损耗的平衡，从而提升系统整体效率。

该MOSFET的突出特性在于其300V的漏源击穿电压（Vdss）与高达53A的连续漏极电流（Id）处理能力，这使其能够胜任高功率开关任务。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、26.5A电流条件下典型值仅为40毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗，对于提升电源转换效率至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）典型值控制在95nC（@10V），有助于降低开关过程中的驱动损耗，实现更快的开关速度，并简化栅极驱动电路的设计。

在电气参数方面，STB46N30M5支持高达±25V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全裕度。其最大结温（Tj）可达150°C，结合D2PAK封装良好的热传导路径，确保了器件在高温环境下的可靠运行，最大功率耗散能力为250W（Tc）。输入电容（Ciss）等动态参数经过优化，有助于抑制高频开关下的振荡现象。作为经过AEC-Q101认证的汽车级产品，其质量和可靠性满足汽车行业的严格要求，用户可通过官方ST代理渠道获取完整的技术支持与供应保障。

凭借其高性能与高可靠性，该器件非常适合应用于要求严苛的功率转换领域。典型应用场景包括汽车系统中的电机驱动（如燃油泵、风扇控制）、DC-DC转换器、开关模式电源（SMPS）的初级侧开关，以及工业领域的逆变器、不间断电源（UPS）和电焊机等设备。其表面贴装形式也适应了现代电子设备向高密度、自动化生产发展的趋势。

• 型号:STB46N30M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):53A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 26.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4240 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB46N30M5是意法半导体基于MDmesh V技术开发的N沟道功率MOSFET，属于通过AEC-Q101认证的汽车级产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心优势在于其300V的漏源电压（Vdss）和53A的连续漏极电流（Id）处理能力，能够满足高功率应用的需求。

其关键技术参数包括在10V驱动下低至40毫欧的导通电阻（Rds(on)），这显著降低了传导损耗；以及95nC的典型栅极电荷（Qg），有利于实现高效率的快速开关。这些特性使其在需要高效能功率转换和开关控制的场合中表现出色，尤其适用于汽车电子和工业电源系统。