STB50N25M5

STB50N25M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心在于通过创新的单元结构和制造工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时有效控制了寄生电容，这对于提升开关电源等应用的效率至关重要。

该MOSFET具备一系列突出的电气特性。其额定漏源电压（V_DSS）为250V，在25°C壳温条件下，连续漏极电流（I_D）可达28A，最大功率耗散为110W，展现了强大的功率处理能力。其关键优势在于极低的导通损耗，在10V栅极驱动电压（V_GS）和14A漏极电流条件下，导通电阻典型值仅为65毫欧。此外，其栅极总电荷（Q_g）最大值控制在44nC（@10V），输入电容（C_iss）最大值为1700pF（@50V），这些参数共同决定了较低的开关损耗和良好的驱动特性，有助于简化驱动电路设计并提升系统整体频率。

在接口与参数方面，器件采用标准的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的散热性能和机械强度。其栅极驱动电压范围宽，最大可承受±25V，增强了应用的鲁棒性。阈值电压V_GS(th)最大值为5V（@100A），确保了可靠的导通与关断控制。宽广的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应苛刻的环境条件。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取该产品的详细信息、库存及替代方案咨询。

凭借其高性能表现，STB50N25M5非常适用于对效率和功率密度有较高要求的开关模式电源（SMPS）初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制以及DC-DC转换器等应用场景。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计中所体现的MDmesh V技术理念，如低R_DS(on)与优化电荷的平衡，仍然是当前高效功率转换设计的宝贵参考。

• 型号:STB50N25M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 28A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1700 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB50N25M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh V产品系列。该器件采用D2PAK封装，额定电压为250V，在壳温25°C下可连续承载28A电流，最大功耗达110W。

其核心电气参数针对高效功率开关应用进行了优化。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至65毫欧（@14A），有助于显著降低导通损耗。同时，44nC（@10V）的最大栅极电荷和1700pF（@50V）的最大输入电容，共同保障了较低的开关损耗和良好的动态性能，适用于要求高效率的电源转换拓扑。