STB6N80K5

STB6N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）推出的SuperMESH5系列N沟道功率MOSFET，采用先进的垂直沟槽栅极架构。该架构通过优化单元密度和沟槽设计，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）。其核心在于第五代SuperMESH技术，该技术对硅片进行了深度优化，实现了低栅极电荷（Qg）与低导通电阻之间的出色平衡，这对于提升开关电源等应用的整体效率至关重要。

该器件具备800V的额定漏源电压（V_DSS），能够从容应对工业及消费类电源中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温（T_C）下，其连续漏极电流（I_D）额定值为4.5A，最大功耗为85W，确保了在严苛工况下的可靠运行。其导通电阻在10V栅源驱动电压（V_GS）、2A漏极电流条件下典型值仅为1.6Ω，有效降低了导通损耗。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值低至7.5nC @ 10V，输入电容（C_iss）最大值仅为255pF @ 100V，这意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于简化驱动电路设计并提升系统频率。

在接口与参数方面，该MOSFET采用标准的表面贴装D2PAK封装，具有良好的散热性能和机械强度，便于自动化生产。其栅极驱动电压范围宽，标准驱动电压为10V，最大可承受±30V的栅源电压，提供了充足的噪声裕量。阈值电压V_GS(th)最大值为5V @ 100A，具备良好的抗干扰能力。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求高可靠性的宽温环境应用。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理进行采购与咨询。

基于其高耐压、低损耗和快速开关的特性，STB6N80K5非常适合于开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升能源转换效率，减小系统体积与散热需求，是实现高功率密度和高效能电源解决方案的关键元件之一。

• 型号:STB6N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:255 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 想获取STB6N80K5的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STB6N80K5是意法半导体SuperMESH5系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK表面贴装封装。该器件核心优势在于其800V的高漏源电压（V_DSS）额定值与优化的动态参数，在25°C壳温下可支持4.5A的连续漏极电流。

其技术亮点在于实现了低导通电阻（1.6Ω @ 10V, 2A）与低栅极电荷（7.5nC @ 10V）的良好结合，这直接转化为更低的导通损耗和开关损耗。同时，较低的输入电容（255pF @ 100V）有助于实现快速开关，提升系统频率响应。这些特性使其成为要求高效率和高可靠性的离线式开关电源、PFC及照明应用的理想选择。