STB75NF20

作为ST意法半导体STripFET产品家族的重要成员，STB75NF20是一款采用先进工艺制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的D2PAK表面贴装封装，其核心架构基于优化的垂直沟道设计，旨在实现高功率密度与高效率的平衡。通过精密的芯片布局和先进的封装技术，它在紧凑的物理尺寸内集成了强大的电流处理能力，同时确保了优异的热传导性能，为系统散热设计提供了坚实基础。

该MOSFET的功能特性突出体现在其卓越的导通性能与开关效率上。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、37A电流条件下典型值仅为34毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的导通损耗，显著提升了系统整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在84nC，结合优化的内部结构，有助于实现快速开关，减少开关过程中的能量损失，这对于高频开关应用至关重要。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±20V，提供了宽裕且安全的驱动裕量。

在关键的电气参数方面，STB75NF20具备200V的漏源击穿电压（Vdss），为其在高电压工作环境下提供了可靠的安全保障。在壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达75A，峰值电流处理能力更强，能够应对严苛的负载瞬变。其最大功率耗散能力为190W（Tc），结合D2PAK封装良好的热特性，使其能够稳定工作在-50°C至150°C的宽结温（TJ）范围内。这些稳健的参数指标共同构成了器件高可靠性的基石。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

凭借其高电压、大电流和低损耗的特性，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的领域。典型的应用场景包括工业级开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧整流与同步整流、电机驱动与控制系统中的H桥或三相逆变器功率级、不间断电源（UPS）的功率转换模块，以及电焊机、光伏逆变器等专业电力电子设备。在这些应用中，它能够有效提升系统效率，减小散热器尺寸，最终实现设备的小型化与高性能化。

• 型号:STB75NF20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 37A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3260 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB75NF20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET系列。该器件采用D2PAK封装，核心优势在于其200V的漏源电压和高达75A的连续漏极电流处理能力，结合极低的导通电阻（典型值34mΩ @ 10V, 37A），为高功率应用提供了高效的功率开关解决方案。

其电气参数设计兼顾了性能与可靠性，栅极电荷（Qg）较低，有利于实现快速开关并降低驱动损耗，而±20V的栅源电压范围则确保了驱动的稳健性。这些特性使其特别适用于要求高效率和高功率密度的工业电源、电机驱动及能源转换系统。