STB75NH02LT4

STB75NH02LT4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用D2PAK（TO-263）表面贴装封装，专为高电流、高效率的开关应用而设计。其核心架构优化了单元密度和沟道电阻，实现了在紧凑封装内极低的导通损耗，这得益于ST在功率半导体领域深厚的技术积累，对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的ST芯片代理进行采购。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的导通电阻（Rds(on)）性能，在10V栅极驱动电压、30A漏极电流条件下，其最大值仅为8毫欧。这一低阻值特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值在5V条件下为22nC，结合适中的输入电容，有助于实现快速的开关切换并降低驱动电路的损耗，使其在需要高频操作的场景中表现优异。

在电气参数方面，STB75NH02LT4的额定漏源电压（Vdss）为24V，在壳温（Tc）25°C条件下，连续漏极电流（Id）可达60A，最大功率耗散为80W。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.8V，确保了与标准逻辑电平（如5V）良好的兼容性，便于驱动电路设计。器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，提供了在苛刻环境下的可靠运行能力。坚固的D2PAK封装具有良好的热性能，便于通过PCB进行散热管理。

凭借其高电流处理能力、低导通电阻和快速开关特性，这款MOSFET非常适合应用于低压大电流的DC-DC转换器、电机驱动控制、电池保护电路以及电源管理模块等领域。例如，在服务器电源、电动工具、无人机电调或汽车辅助系统中，它常被用作同步整流或负载开关的关键元件，以提升能效和功率密度。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中，它仍然是一个经典且性能经过验证的选择。

• 型号:STB75NH02LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB75NH02LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心优势在于其极低的导通电阻，在10V Vgs、30A Id条件下典型值仅为8毫欧，配合高达60A的连续漏极电流能力，能够显著降低大电流应用中的传导损耗。

此外，其优化的栅极电荷（典型22nC @ 5V）确保了快速的开关响应，有利于提升开关电源的转换频率和效率。器件支持高达20V的栅源电压，并与标准逻辑电平兼容，设计灵活。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和80W的功率耗散能力，使其能够适应要求严苛的工业与汽车环境，是高效功率开关解决方案的可靠选择。