STB76NF80

STB76NF80是ST意法半导体基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，通过优化单元结构和沟道设计，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。其核心架构旨在降低传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。D2PAK（TO-263）封装不仅提供了优异的散热性能，其表面贴装形式也便于自动化生产，满足现代电子制造的需求。

在电气性能方面，该器件展现出强大的功率处理能力。80V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够稳定工作在诸如48V总线等中压应用环境中。其最显著的特性之一是在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至11毫欧（在40A条件下），这直接转化为更低的通态压降和导通损耗，对于大电流路径的效率提升贡献显著。同时，其栅极电荷（Qg）被控制在160nC（@10V）的水平，有助于降低驱动电路的负担并减少开关过程中的能量损失，从而实现更高频率的开关操作。

该MOSFET的接口与参数设计充分考虑了系统级的可靠性。连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达80A，配合高达300W（Tc）的功率耗散能力，确保了其在严苛热环境下的稳定输出。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，提供了足够的驱动安全裕量。宽广的工作结温范围（-55°C 至 175°C）使其能够适应工业、汽车等对温度要求苛刻的应用场景。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，通过正规的ST授权代理进行采购是保障产品正宗与获得后续服务的重要途径。

基于其高耐压、低导通电阻和高电流处理能力的组合，STB76NF80非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的领域。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器、电机驱动控制器（如电动工具、工业电机）、大功率开关电源的同步整流或主开关，以及汽车电子中的辅助驱动模块。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有系统和备件市场中，它依然是一款经过验证的、性能可靠的功率开关解决方案。

• 型号:STB76NF80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 想获取STB76NF80的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STB76NF80是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列，采用D2PAK表面贴装封装。该器件设计用于高效处理中高功率应用，其核心电气参数包括80V的漏源电压（Vdss）和高达80A（Tc）的连续漏极电流（Id）处理能力。

其技术亮点在于优异的导通特性，在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为11毫欧（@40A），这能显著降低功率传导损耗。同时，160nC（@10V）的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和功率转换电路中追求高效率与高可靠性的关键元件选择。