STB7NK80ZT4

STB7NK80ZT4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心设计旨在最小化单位面积下的导通损耗，同时确保在高压开关应用中的坚固性和可靠性，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该器件具备多项突出的电气特性。其800V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源中常见的电压应力和浪涌，提供充足的安全裕量。在导通特性方面，在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为1.8欧姆（@2.6A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在56nC，结合适中的输入电容，有助于降低开关过程中的驱动损耗，简化栅极驱动电路设计，并提升开关频率潜力，这对于追求高功率密度和快速响应的应用至关重要。

在接口与参数层面，STB7NK80ZT4采用标准的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的散热能力和机械强度，适合自动化生产。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下额定为5.2A，最大功耗达125W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。栅源电压（Vgs）支持±30V的最大值，提供了较强的抗干扰能力。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST一级代理获取原厂正品和全面的设计资源。

凭借其高压、低损耗和坚固的封装特性，该MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、工业照明镇流器以及电机驱动控制等场景。它是构建高效、紧凑且可靠的AC-DC功率转换系统的关键元件，尤其适用于对能效和成本有严格要求的消费电子、工业设备和家电产品中的电源模块设计。

• 型号:STB7NK80ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1138 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB7NK80ZT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用表面贴装型D2PAK封装，核心规格包括800V的漏源电压（Vdss）和5.2A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的导通与开关性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.8欧姆，有效降低了功率传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值56nC）有助于实现快速的开关切换，减少驱动损耗，提升整体电源效率。这些特性使其成为离线式电源、PFC电路等高压功率转换设计的理想选择。