STB80N20M5

STB80N20M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单晶元上实现了卓越的开关性能与导通电阻的平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺技术，显著降低了单位面积下的导通电阻（R_DS(on)），同时有效控制了寄生电容，这对于提升高频开关应用的效率至关重要。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（V_DSS）高达200V，确保了在工业级电源母线电压下的可靠工作余量。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（I_D）额定值达到61A，配合最大仅23mΩ的低导通电阻（在10V V_GS， 30.5A I_D条件下），能够显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体能效。栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为5V，有助于提高抗干扰能力。此外，其栅极总电荷（Q_g）典型值较低，结合优化的电容特性，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。

在封装与可靠性方面，该器件采用坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的散热性能和功率处理能力，其最大功率耗散为190W（T_C=25°C）。结温（T_J）最高可承受150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取原装正品及完整的应用资料。

凭借其高电压、大电流、低损耗的特性组合，STB80N20M5非常适用于对效率和功率密度有较高要求的场合。典型应用包括工业开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动和逆变器中的功率开关模块，以及各类DC-DC转换器的拓扑结构中。它是工程师设计高效、紧凑型功率转换解决方案时的可靠选择。

• 型号:STB80N20M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):61A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 30.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:104 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4329 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB80N20M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用表面贴装型D2PAK封装，核心规格包括200V的漏源电压（Vdss）以及在壳温25°C下达61A的连续漏极电流（Id）处理能力。

其关键优势在于极低的导通损耗，在10V栅源电压驱动下，导通电阻（RdsOn）最大值仅为23毫欧。同时，器件具备优化的开关特性，栅极电荷（Qg）典型值较低，有助于提升开关频率并降低驱动损耗。结合190W（Tc）的功率耗散能力和高达150°C的结温工作范围，使其成为要求高可靠性与高效率的功率开关应用的理想选择。