STB80N4F6AG

STB80N4F6AG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的面向严苛应用环境的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的STripFET技术构建，这一技术通过优化单元结构和沟槽栅极设计，在单位面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与优异的开关性能平衡。其核心架构旨在最大限度地减少传导损耗和开关损耗，这对于提升系统整体效率至关重要，尤其是在高频或大电流工作条件下。

该MOSFET的显著特性包括高达80A的连续漏极电流（T_C）承载能力以及40V的漏源击穿电压（V_DSS），为负载开关、电机控制和电源转换等应用提供了坚实的电压与电流余量。其导通电阻在10V栅极驱动电压、40A电流条件下典型值仅为6毫欧，这一低R_DS(on)特性直接转化为更低的热损耗和更高的能效。同时，栅极电荷（Q_g）典型值低至36nC（@10V），结合适中的输入电容，有助于降低驱动电路的功率需求并实现更快的开关速度，从而优化高频应用的性能。

在接口与参数方面，器件采用标准的DPAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的功率耗散能力，结温（T_J）工作范围宽达-55°C至175°C，确保了在高温环境下的可靠运行。其栅源电压（V_GS）最大额定值为±20V，提供了稳健的驱动容限。对于需要稳定供应链和原厂技术支持的项目，通过官方授权的ST一级代理进行采购是保障产品正宗与供货可靠性的重要途径。

基于其符合AEC-Q101标准的汽车级品质，STB80N4F6AG非常适用于汽车电子领域，如电动助力转向（EPS）、燃油泵驱动、LED照明驱动及电池管理系统（BMS）中的保护开关。此外，其在工业自动化中的电机驱动、服务器和通信设备的DC-DC转换器、以及各类高效电源的同步整流和OR-ing（冗余电源）电路中，也能发挥其高电流处理能力和高效能优势，是工程师设计高可靠性、高功率密度解决方案时的优选功率开关器件。

• 型号:STB80N4F6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2150 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB80N4F6AG是ST意法半导体推出的符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET，采用STripFET技术，封装为DPAK（TO-263）。该器件核心优势在于其高电流处理能力与低损耗特性，其连续漏极电流（T_C）高达80A，漏源电压（V_DSS）为40V。

其关键技术参数包括极低的导通电阻（典型值6毫欧 @ 40A, 10V）以及较低的栅极电荷（典型值36nC @ 10V），这共同确保了在开关和传导过程中的高效率与低功耗。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）使其能够适应严苛的环境要求，主要面向汽车电子和工业应用中的高可靠性开关与驱动场景。