STB80NF03L-04-1

STB80NF03L-04-1是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔I2PAK封装，专为高电流、高效率的功率开关应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）之间的平衡，通过先进的沟槽工艺实现了极低的单位面积导通电阻，从而在紧凑的封装内获得了优异的电流处理能力。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压（V_GS）和40A漏极电流条件下，典型值仅为4毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，显著提升了系统的整体能效。同时，其高达80A的连续漏极电流（在壳温T_C条件下）和30V的漏源击穿电压（V_DSS），使其能够从容应对严苛的负载条件。栅极驱动设计灵活，标准逻辑电平（4.5V）即可实现高效开启，而最大栅源电压（V_GS）可达±20V，提供了宽裕的设计余量。

在动态性能方面，110nC的栅极总电荷（Q_g）处于同类产品的优秀水平，有助于降低开关损耗，尤其适合高频开关应用。其输入电容（C_iss）为5500pF，工程师在设计驱动电路时需予以考虑以确保快速的开关瞬态。器件的热性能稳健，最大功率耗散能力为300W（T_C），结合宽泛的结温工作范围（-60°C至175°C），保证了在恶劣环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取相关服务与产品信息。

凭借其高电流、低损耗和坚固的封装特性，STB80NF03L-04-1非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的领域。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器中的同步整流、电机驱动控制中的H桥或三相逆变器功率级，以及各类电池保护电路和负载开关。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为后续产品开发提供了重要参考，在存量系统维护或特定设计选型中仍具参考价值。

• 型号:STB80NF03L-04-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-60°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STB80NF03L-04-1是ST意法半导体推出的一款采用I2PAK封装的N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。其核心优势在于极低的导通电阻（R_DS(on)典型值4mΩ @ 10V, 40A）与高电流处理能力（连续漏极电流80A @ T_C）的出色结合，旨在最大限度地降低传导损耗，提升功率转换效率。

该器件具备30V的漏源电压（V_DSS）额定值，并支持4.5V逻辑电平驱动，便于与标准控制器接口。其动态特性，如110nC的栅极电荷（Q_g），有助于实现快速的开关速度，降低开关损耗。稳健的热设计（最大功耗300W）和宽广的工作结温范围（-60°C 至 175°C）确保了其在 demanding 应用环境下的长期可靠性。