STB80NF55-06-1

STB80NF55-06-1是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔式I2PAK封装，专为高功率密度和高效率应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）之间的平衡，通过先进的沟槽栅工艺实现了极低的单位面积导通阻抗，这为处理大电流提供了坚实的物理基础，同时确保了良好的热性能。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的导通性能与开关效率。在10V栅极驱动电压下，其最大导通电阻低至6.5毫欧（在40A条件下测试），这一低R_DS(on)值直接转化为更低的传导损耗，显著提升了系统整体能效。同时，其栅极电荷（Q_g）典型值控制在189nC（@10V），结合适中的输入电容（C_iss），有助于实现快速开关并降低驱动电路的损耗，使其在高频开关应用中表现出色。其坚固的栅极设计可承受高达±20V的电压，增强了系统的鲁棒性。

在电气参数方面，STB80NF55-06-1具备55V的漏源击穿电压（V_DSS），在壳温（T_C）条件下可连续通过高达80A的电流，最大功耗为300W。其宽广的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了其在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的ST一级代理进行采购是保障产品正宗与供应链安全的重要途径。

凭借其高电流处理能力、低导通电阻和良好的开关特性，该器件非常适合用于要求严苛的功率转换与管理场景。典型应用包括服务器和电信设备的DC-DC转换器、大电流电机驱动与控制（如电动工具、工业电机）、蓄电池保护开关以及各类同步整流电路。在这些应用中，它能够有效降低能量损耗，提升系统功率密度和可靠性。

• 型号:STB80NF55-06-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:189 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STB80NF55-06-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心优势在于其极低的导通电阻与强大的电流处理能力。

其关键电气参数定义了卓越的性能：55V的漏源电压（V_DSS）和高达80A（T_C）的连续漏极电流使其能够胜任大功率场景。在10V栅极驱动下，其最大导通电阻（R_DS(on)）仅为6.5毫欧（@40A），这直接最小化了传导损耗。同时，优化的栅极电荷（Q_g）有助于实现高效的开关操作。这些特性共同构成了其在高效功率转换应用中的核心价值。