STB80NF55L-08-1

STB80NF55L-08-1是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔式I2PAK封装，专为需要高电流处理能力和低导通损耗的功率开关应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）之间的平衡，通过先进的沟槽工艺实现了优异的电气性能，即使在高温工作条件下也能保持稳定可靠的开关特性。

该MOSFET的显著特性在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压（V_GS）和40A漏极电流（I_D）条件下，典型值仅为8毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其高达80A的连续漏极电流（基于壳温T_C）和55V的漏源击穿电压（V_DSS）使其能够承受严苛的负载条件。栅极阈值电压（V_GS(th)）典型值为2.5V，配合±16V的最大栅源电压，确保了与标准逻辑电平或微控制器输出的良好兼容性，并提供了充足的驱动安全裕度。

在动态参数方面，ST一级代理提供的技术资料显示，该器件在4.5V V_GS下的栅极总电荷（Q_g）典型值为100nC，结合4350pF的输入电容（C_iss），共同决定了开关速度与驱动电路的设计要求。较低的栅极电荷有助于减少开关损耗，尤其是在高频开关应用中。器件的最大结温（T_J）高达175°C，封装最大功耗为300W（T_C），展现了其出色的热性能和功率处理能力，为系统散热设计提供了灵活性。

基于上述技术规格，STB80NF55L-08-1非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的领域。其典型应用场景包括工业级开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流、电机驱动控制电路中的H桥或半桥拓扑、以及不间断电源（UPS）和逆变器系统中的功率转换模块。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数对于理解同类高电流、低导通电阻MOSFET的选型与评估仍具有重要的参考价值。

• 型号:STB80NF55L-08-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 想获取STB80NF55L-08-1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STB80NF55L-08-1是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用I2PAK封装和STripFET II技术。其核心优势在于极低的导通电阻（8mΩ @ 10V, 40A）与高电流承载能力（连续漏极电流80A @ T_C），旨在最大限度地降低传导损耗，提升系统能效。

该器件具备55V的漏源电压额定值和175°C的最高工作结温，确保了在严苛环境下的可靠运行。其栅极特性（如2.5V的阈值电压和100nC的栅极电荷）经过优化，便于驱动并有助于控制开关损耗。这些参数使其成为中高功率开关电源、电机驱动及功率转换系统中高效功率开关的理想选择。