STB8N90K5

STB8N90K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了极低的单位面积导通电阻（RDS(on)）与出色的开关性能平衡。其核心在于通过创新的单元结构和精细的工艺控制，显著降低了栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），这对于提升高频开关应用的效率至关重要。得益于这种架构，器件在保持高阻断电压能力的同时，传导和开关损耗都得到了有效抑制。

该MOSFET具备900V的漏源击穿电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id）能力，使其能够从容应对高压大电流的严苛工作环境。其导通电阻在10V栅极驱动电压、1.17A测试条件下典型值仅为800毫欧，这意味着更低的通态损耗和更高的能源转换效率。±30V的栅源电压（Vgs）最大值提供了宽裕的驱动安全裕度，而130W（Tc）的最大功率耗散能力则确保了器件在高温下的可靠运行。表面贴装型的D2PAK封装不仅提供了优异的散热性能，便于PCB布局，还能满足自动化生产的需求。

在性能参数上，STB8N90K5展现了MDmesh K5系列的典型优势：快速开关特性、卓越的雪崩耐量和更低的电磁干扰（EMI）辐射。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于环境温度变化剧烈的工业场合。对于需要可靠元器件供应的设计者，可以通过授权的ST代理商获取该产品及其完整的技术支持。

凭借其高压、高效、高可靠性的特点，STB8N90K5非常适合于开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及照明镇流器等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升系统整体能效，减小散热器尺寸，并增强系统在恶劣电网条件下的鲁棒性。

• 型号:STB8N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 1.17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB8N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh K5产品系列。该器件采用表面贴装D2PAK封装，核心规格包括900V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id），专为要求高耐压和高效率的应用而设计。

其技术亮点在于实现了低至800毫欧（@10V Vgs）的导通电阻，结合130W的功率处理能力，显著降低了通态损耗和热耗散。宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）确保了其在工业级环境下的稳定性和长寿命，使其成为开关电源、电机驱动和能源转换系统中功率开关部分的理想选择。