STB95N3LLH6

STB95N3LLH6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET VI技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现极低的导通损耗和卓越的开关性能，其核心在于通过精密的单元布局和沟槽栅工艺，在单位芯片面积内实现了更高的电流密度和更低的导通电阻（R_DS(on)）。

作为DeepGATE产品系列的一员，其显著特性包括极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、40A漏极电流条件下，典型值仅为4.2毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，该器件具备30V的漏源击穿电压（V_DSS）和高达80A的连续漏极电流（I_D）承载能力，确保了在严苛工况下的高可靠性。其栅极电荷（Q_g）典型值较低，有助于减少开关过程中的驱动损耗，提升高频开关应用的性能。

在电气参数方面，该MOSFET的栅极阈值电压（V_GS(th)）典型值适中，与标准逻辑电平驱动兼容性好。其最大栅源电压（V_GS）为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。封装采用标准的表面贴装D2PAK（TO-263）形式，具有良好的散热性能和机械强度，便于在自动化生产线上进行贴装。用户可通过官方授权的ST代理获取详细的技术支持和供货信息。

凭借其优异的性能组合，STB95N3LLH6非常适用于对效率和功率密度有高要求的场景，例如服务器和通信设备的同步整流、DC-DC转换器中的高频开关、电机驱动控制电路以及各类电源管理模块。其设计能够有效降低系统热耗散，提升整体能效，是工程师构建高效、紧凑型功率解决方案的可靠选择。

• 型号:STB95N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB95N3LLH6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的DeepGATE， STripFET VI产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心优势在于其极低的导通电阻，在10V V_GS下典型值仅为4.2mΩ，配合30V的漏源电压和高达80A的连续漏极电流能力，能够显著降低功率应用中的传导损耗。

其优化的栅极电荷（Q_g）和输入电容（C_iss）特性有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，提升系统效率。该器件设计用于表面贴装，工作结温高达175°C，适用于要求高可靠性和高功率密度的开关电源、电机驱动及负载开关等应用场景。