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STBV45G

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晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 400V 0.75A TO-92
原厂封装:封装:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
优势价格,STBV45G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STBV45G的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STBV45G是ST意法半导体推出的一款高压NPN双极性晶体管(BJT),采用经典的TO-92通孔封装。该器件基于成熟的硅平面工艺制造,其核心架构旨在提供可靠的高压开关与线性放大能力。集电极-发射极击穿电压高达400V,使其能够在市电整流后的高压线路上稳定工作,而750mA的连续集电极电流容量则确保了其在中小功率应用中的驱动能力。

该晶体管的功能特点突出其在高电压环境下的稳健性。VCE(sat)饱和压降在135mA基极电流、400mA集电极电流条件下典型值仅为1.5V,这有助于降低导通状态下的功耗和热损耗。其直流电流增益(hFE)在400mA、5V条件下最小值为5,虽然增益值不高,但特性稳定,特别适合于需要确定基极驱动电流的开关电路设计。器件具备150°C的最高结温(TJ)和950mW的最大功耗,提供了宽泛的安全工作区。

在接口与参数方面,STBV45G采用标准的三引脚TO-92封装,引脚排列兼容业界通用设计,便于在现有电路板上进行替换或升级。其集电极截止电流低至250A,有助于提升关断状态下的电路效率。对于需要可靠元器件供应和技术支持的客户,可以通过ST中国代理获取相关的产品资料与库存信息。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和参数在诸多现有设备和备件市场中仍有持续需求。

STBV45G典型的应用场景包括离线式开关电源(SMPS)中的高压侧开关、电子镇流器、CRT显示器行输出电路以及各种AC-DC转换器中的功率开关和驱动级。其400V的耐压值使其能够轻松应对整流后约280V的直流总线电压,并留有充足的裕量,确保系统长期工作的可靠性。在中小功率的线性稳压或电子负载电路中,它也能作为调整管使用。

  • 制造商产品型号:STBV45G
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:TRANS NPN 400V 0.75A TO-92
  • 系列:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):750mA
  • 电压-集射极击穿(最大值):400V
  • 不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值):1.5V @ 135mA,400mA
  • 电流-集电极截止(最大值):250A
  • 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值):5 @ 400mA,5V
  • 功率-最大值:950mW
  • 频率-跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
  • 想获取STBV45G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STBV45G是ST意法半导体生产的一款高压NPN双极性晶体管,采用TO-92通孔封装。其核心参数包括400V的集射极击穿电压和750mA的集电极电流,使其适用于高压开关应用。

该器件在135mA基极电流、400mA集电极电流条件下的饱和压降仅为1.5V,有助于降低导通损耗。其直流电流增益(hFE)最小值为5(@400mA, 5V),特性稳定,最大功耗为950mW,工作结温高达150°C,确保了在苛刻环境下的稳健性能。

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