STD10N60DM2

STD10N60DM2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DM2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心在于第二代DM2超结技术，通过创新的电荷平衡原理，显著降低了单位面积下的导通损耗，同时保持了快速开关特性，为高效能功率转换应用提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备一系列突出的电气特性。650V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、功率因数校正（PFC）等高压环境下的电压应力。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为530毫欧（@4A），这意味着在导通期间产生的传导损耗极低，有助于提升系统整体效率。此外，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为15nC，结合较低的输入电容（Ciss），共同确保了快速的开关瞬态响应，有利于减少开关损耗并允许更高频率的电路设计，从而缩小磁性元件的体积。

在接口与参数方面，该器件采用标准的TO-252（DPAK）表面贴装封装，具有良好的功率耗散能力和便捷的组装工艺。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下额定为8A，最大结温（Tj）可达150°C，展现了宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和强大的热性能。栅极驱动电压范围宽裕，标准驱动为10V，最大可承受±25V的栅源电压，增强了设计的鲁棒性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低损耗和快速开关的优势，STD10N60DM2非常适用于要求严苛的功率电子领域。其主要应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明系统的电子镇流器、工业电机驱动的辅助电源以及UPS（不间断电源）系统中的功率转换模块。在这些应用中，它能够有效提升能源转换效率，增强系统可靠性，并助力实现更紧凑、更高效的电源设计方案。

• 型号:STD10N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:530 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:529 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:109W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD10N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用先进的超结技术，核心优势在于同时提供了650V的高漏源电压（Vdss）和极低的导通电阻（典型530mΩ @ 10V Vgs），这使其在高压应用中能显著降低传导损耗。

此外，其栅极电荷（Qg）低至15nC，配合表面贴装型DPAK封装，确保了出色的开关性能和散热能力。这些特性使其成为开关电源、功率因数校正及工业电源等高效能、高可靠性设计中的理想选择。