STD10N60M6

STD10N60M6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心架构通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时保持了优异的开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（V_DSS），能够可靠地工作在离线式电源、功率因数校正（PFC）等高压环境中。其导通电阻在10V栅极驱动电压、3.2A漏极电流条件下典型值仅为600毫欧，这一低R_DS(on)特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。此外，其栅极电荷（Q_g）典型值低至8.8nC，结合338pF的输入电容（C_iss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于简化栅极驱动电路设计并提升高频开关性能。

在电气参数方面，STD10N60M6在25°C壳温下可承受6.4A的连续漏极电流，最大栅源电压为±25V，提供了宽裕的安全工作范围。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.75V，确保了良好的噪声抑制能力和抗误触发特性。器件采用表面贴装型DPAK封装，在紧凑的占位面积内提供了高达60W（Tc）的功率耗散能力，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适合要求高可靠性的工业环境。如需获取官方技术支持和正品供应，建议通过ST授权代理进行采购。

凭借其高压、低损耗和高开关频率的潜力，该器件非常适用于开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明应用的电子镇流器、工业电机驱动的辅助电源以及UPS系统中的功率转换级。其稳健的设计使其成为追求高能效和高功率密度解决方案工程师的理想选择。

• 型号:STD10N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:338 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取STD10N60M6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STD10N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心特性包括600V的漏源电压（Vdss）和6.4A（Tc）的连续漏极电流，为高压应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻（RdsOn）典型值低至600毫欧 @ 3.2A，有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，典型8.8nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大338pF @ 100V）共同确保了快速、高效的开关行为，有助于提升系统频率并减少开关损耗。这些参数使其成为要求高效率和可靠性的功率转换设计的优选器件。